[發明專利]使用MoOC14 有效
| 申請號： | 201780054079.8 | 申請日： | 2017-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN109661481B | 公開（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發明（設計）人： | T·H·鮑姆;P·S·H·陳;R·賴特;B·亨德里克斯;孟雙;R·阿西翁 | 申請（專利權）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號： | C23C16/04 | 分類號： | C23C16/04;C23C16/14;C23C16/455;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 顧晨昕 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 mooc1 base sub | ||
1.一種在襯底上形成含鉬材料的方法，其包括通過使所述襯底與二硼烷蒸氣接觸且分開地與四氯氧化鉬(MoOCl4)蒸氣接觸以在所述襯底上建立成核表面，且在氣相沉積條件下使所述襯底的所述成核表面與四氯氧化鉬(MoOCl4)蒸氣接觸，以在所述襯底上沉積所述含鉬材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其中建立所述成核表面包括使所述襯底與二硼烷蒸氣且分開地與四氯氧化鉬(MoOCl4)蒸氣接觸的多個循環。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底與二硼烷蒸氣的接觸在從300℃到450℃的范圍內的溫度下進行。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣相沉積條件是脈沖氣相沉積條件。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣相沉積條件經選擇使得經沉積的所述含鉬材料具有最多20μΩ·cm的電阻率。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含鉬材料在從400℃到600℃的范圍內的溫度下沉積。
7.根據權利要求1所述的方法，其包括使四氯氧化鉬(MoOCl4)揮發以形成所述四氯氧化鉬(MoOCl4)蒸氣。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣相沉積條件包括還原環境，使得所述含鉬材料包括元素鉬材料。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述含鉬材料包括氧化鉬。
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括TiN、Mo、MoC、B、SiO2、W及WCN中的一或多者。
11.根據權利要求1所述的方法，其中：所述襯底包括包含其上具有氮化鈦層的二氧化硅的半導體裝置襯底；所述方法包括在所述氮化鈦層上形成成核表面；且所述含鉬材料沉積于所述成核層上。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述成核表面通過包括使所述氮化鈦層與二硼烷蒸氣且分開地與四氯氧化鉬(MoOCl4)蒸氣接觸的脈沖CVD或ALD沉積形成。
13.根據權利要求1所述的方法，其在用于在所述襯底上制作半導體裝置的工藝中實施。
14.根據權利要求13所述的方法，其中所述半導體裝置包括DRAM裝置及3-D NAND裝置中的至少一者。
15.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括其中沉積所述含鉬材料的通孔，所述通孔具有在從20:1到30:1的范圍中的深度對橫向尺寸的縱橫比。
16.根據權利要求1所述的方法，其中所述含鉬材料以從90％到110％的階梯覆蓋率沉積于所述襯底上。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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