[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780054066.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109643713A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本薰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/10
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/10;G11C17/06;H01L29/786;H01L45/00;H01L49/00
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝;張艷鳳

1.一種半導(dǎo)體裝置，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，其特征在于，

上述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自具有：

存儲(chǔ)晶體管，其具有氧化物半導(dǎo)體層作為活性層；以及

第1選擇晶體管，其具有結(jié)晶質(zhì)硅層作為活性層，以串聯(lián)的方式連接到上述存儲(chǔ)晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

上述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自還具有第2選擇晶體管，上述第2選擇晶體管具有結(jié)晶質(zhì)硅層作為活性層，以串聯(lián)的方式連接到上述存儲(chǔ)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

上述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自所具有的晶體管僅是上述存儲(chǔ)晶體管和上述第1選擇晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

上述半導(dǎo)體裝置是有源矩陣基板，具備：

顯示區(qū)域，其具有多個(gè)像素電極；以及像素晶體管，其分別電連接到上述多個(gè)像素電極中的對(duì)應(yīng)的像素電極；以及

周邊區(qū)域，其配置在上述顯示區(qū)域以外的區(qū)域，具有多個(gè)電路，

上述多個(gè)電路包含具有上述多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電路，

上述像素晶體管的活性層包含與上述存儲(chǔ)晶體管的上述氧化物半導(dǎo)體層由相同氧化物半導(dǎo)體膜形成的半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

上述氧化物半導(dǎo)體層包含In-Ga-Zn-O系半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

上述氧化物半導(dǎo)體層包含結(jié)晶質(zhì)In-Ga-Zn-O系半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

上述存儲(chǔ)晶體管的上述活性層具有層疊結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

上述存儲(chǔ)晶體管是溝道蝕刻型。