[發明專利]有源矩陣基板和具備有源矩陣基板的顯示裝置

有效

• 申請號: 201780053900.4
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109690661B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 西村淳;原義仁;近間義雅;中田幸伸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

有源矩陣基板(1001)具備：多個檢查用TFT(10Q)，其配置在非顯示區域(900)；以及檢查電路(200)，其包含多個檢查用TFT(10Q)，多個檢查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭載半導體芯片的半導體芯片搭載區域(R)內，多個檢查用TFT(10Q)各自包含：半導體層；下部柵極電極(FG)，其隔著柵極絕緣層配置在半導體層的基板側；上部柵極電極(BG)，其隔著包含第1絕緣層的絕緣層配置在半導體層的與基板相反的一側；以及源極電極和漏極電極，其連接到半導體層。

技術領域

本發明涉及使用氧化物半導體形成的有源矩陣基板和具備有源矩陣基板的顯示裝置。

背景技術

液晶顯示裝置等所使用的有源矩陣基板具有：顯示區域，其具有多個像素；以及顯示區域以外的區域(非顯示區域或邊框區域)。在顯示區域中按每個像素具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor；以下稱為“TFT”)等開關元件。作為這種開關元件，以往廣泛使用將非晶硅膜作為活性層的TFT(以下稱為“非晶硅TFT”)、將多晶硅膜作為活性層的TFT(以下稱為“多晶硅TFT”)。

作為TFT的活性層的材料，提出了使用氧化物半導體來代替非晶硅、多晶硅。將這種TFT稱為“氧化物半導體TFT”。氧化物半導體具有比非晶硅高的遷移率。因此，氧化物半導體TFT與非晶硅TFT 相比能以高速進行動作。

在非顯示區域搭載有構成源極驅動器、柵極驅動器等驅動電路的半導體芯片(COG(Chip on Glass；玻璃上芯片)安裝)。在本說明書中，將有源矩陣基板中的搭載半導體芯片的區域稱為“半導體芯片搭載區域”。在非顯示區域還配置有用于將半導體芯片的端子與顯示區域的柵極總線或源極總線連接起來的多個端子部。這些端子部例如形成在半導體芯片搭載區域(即，配置在半導體芯片與基板之間)。

有時也會在非顯示區域單片地(一體地)設置柵極驅動器、源極驅動器等驅動電路。將形成為單片的驅動電路稱為“單片驅動器”。單片驅動器通常使用TFT來構成。最近，利用了使用氧化物半導體 TFT來制作單片驅動器的技術。從而，邊框區域的窄小化、安裝工序簡化所帶來的成本降低得以實現。

近年來，在智能手機、不到10型的小型平板等對窄邊框化要求較高的設備中，大多在非顯示區域中形成有單片柵極驅動電路，源極驅動電路以COG方式安裝。

在非顯示區域還設置用于進行作為液晶顯示裝置(液晶顯示面板)的故障檢測方法的偽動態點亮檢查的檢查電路。從而，能檢測有源矩陣基板上的配線的斷線/短路等故障。

檢查電路例如包含多個TFT(以下稱為“檢查用TFT”)。各檢查用TFT連接到源極總線或柵極總線。在點亮檢查時，通過將檢查用 TFT設為導通狀態，對源極總線或柵極總線供應檢查用的信號。在點亮檢查后，在液晶顯示面板的正常動作時，檢查用TFT維持在截止狀態。

以往，檢查用TFT配置在半導體芯片搭載區域與顯示區域之間，或者夾著顯示區域配置在其相反側的非顯示區域等。近年來，為了實現非顯示區域的進一步窄小化，提出了將包含檢查用TFT的檢查電路配置在半導體芯片搭載區域內的構成(例如專利文獻1和2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2004-101863號公報

專利文獻2：特開2014-153493號公報

發明內容

發明要解決的問題