[發(fā)明專利]電化學(xué)導(dǎo)線電極陣列及相應(yīng)制造過程在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780053574.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110023744A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅密歐-羅伯特·拉奇;米哈利·科洛;安德烈亞斯·謝弗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 弗朗西斯克里克研究所有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/30 | 分類號(hào)： | G01N27/30;G01N27/327;A61B5/00;G01N33/483 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 林強(qiáng) |
| 地址： | 英國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 英國(guó);GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)線電極 導(dǎo)線束 電化學(xué) 第一端 減小 阻抗 沉積 金屬或金屬氧化物 神經(jīng)元 電化學(xué)探針 并排布置 導(dǎo)電材料 功能化層 絕緣材料 納米結(jié)構(gòu) 制造過程 電極 感測(cè) 探針 掃描 包圍 應(yīng)用 | ||
1.一種電化學(xué)探針，包括：
導(dǎo)線束，包括彼此并排布置的由導(dǎo)電材料制成的多個(gè)導(dǎo)線電極，以及包圍所述電極的絕緣材料；以及
金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層，在所述導(dǎo)線束的第一端或第二端處被沉積在所述導(dǎo)線電極的尖端上；
其中，針對(duì)至少一個(gè)所述導(dǎo)線電極，所述第一端或所述第二端處的所述電極的尖端包括凹槽，并且所述金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層被沉積在所述凹槽的內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)探針，其中，所述層包括由貴金屬制成的納米結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)探針，其中，所述層包括金納米結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，包括功能化層，在所述導(dǎo)線束的所述第一端處被沉積在所述金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)探針，其中，至少一個(gè)導(dǎo)線電極具有在所述導(dǎo)線束的所述第一端處的所述電極的尖端中形成的凹槽，并且所述功能化層沉積在所述凹槽的內(nèi)部的所述金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)的層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4和5中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述導(dǎo)線束包括：
導(dǎo)線電極的第一子集，具有在所述導(dǎo)線束的所述第一端處被沉積在所述金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層上的第一類型的功能化層；以及
導(dǎo)線電極的第二子集，具有在所述導(dǎo)線束的所述第一端處被沉積在所述金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層上的第二類型的功能化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述功能化層包括自組裝單層。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，金屬或金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)層在所述導(dǎo)線束的第一端處被沉積在所述導(dǎo)線電極的尖端上，并且
金屬納米結(jié)構(gòu)層在所述導(dǎo)線束的第二端處被沉積在所述導(dǎo)線電極的尖端上。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，每個(gè)導(dǎo)線電極具有絕緣材料的單獨(dú)絕緣護(hù)套。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述多個(gè)導(dǎo)線電極被設(shè)置在所述絕緣材料的共同絕緣基質(zhì)中。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述導(dǎo)線電極的直徑小于等于25μm。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的單位寬度小于等于500nm。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述導(dǎo)線電極的長(zhǎng)度大于等于3cm。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，所述導(dǎo)線束被布置在套層內(nèi)，并且所述探針包括驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器被配置為將力施加到附接到所述套層的多條線中的一條或多條選擇的線，以在所述第一端控制所述導(dǎo)線束的尖端的方向。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，其中，由所述絕緣材料包圍的所述導(dǎo)線電極沿著所述導(dǎo)線電極的長(zhǎng)度的一部分嵌入第二包覆材料中，并且沿著所述電極導(dǎo)線的長(zhǎng)度的剩余部分在所述相應(yīng)導(dǎo)線電極的所述絕緣材料之間形成間隙。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電化學(xué)探針，包括嵌入所述絕緣材料內(nèi)的熒光量子點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電化學(xué)探針，其中，所述熒光量子點(diǎn)包括硒化鎘量子點(diǎn)。
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