[發明專利]二氮雜二烯基化合物、薄膜形成用原料、以及薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201780053070.5
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN109715601B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 吉野智晴;遠津正揮;西田章浩;山下敦史
• 申請（專利權）人: 株式會社ADEKA
• 主分類號: C07C251/08
• 分類號: C07C251/08;C23C16/18;C07F15/04
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 吳宗頤

本發明涉及下述通式(I)表示的二氮雜二烯基化合物。在通式(I)中，R¹表示碳數1～6的直鏈或支鏈烷基，M表示鎳原子或錳原子。特別地，在通式(I)中，R¹為甲基的化合物由于蒸氣壓高，熱分解開始溫度高，因而適合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。

技術領域

本發明涉及新的二氮雜二烯基化合物，包含該化合物的薄膜形成用原料，以及使用該薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。

背景技術

含有金屬元素的薄膜材料顯示出電特性和光學性質等，因而已被應用于各種用途。例如，鎳和含鎳薄膜主要用于電阻膜、阻擋膜等電子元件的部件、磁性膜等記錄介質用的部件、以及電極等薄膜太陽能電池用部件等。

上述薄膜的制造方法的實例包括：濺射法、離子鍍法、涂布熱解法、溶膠-凝膠法等MOD法、CVD法、原子層沉積法(以下有時稱為ALD)法)。由于得到的薄膜的品質良好，因而主要使用CVD法、ALD法。

作為用于化學氣相沉積法的金屬供給源，已經大量報道了各種各樣的材料。例如，專利文獻1公開了二氮雜二烯基絡合物，其可以用作通過ALD法薄膜形成用原料。此外，專利文獻2公開了可用于化學蒸鍍法或原子層蒸鍍法的二氮雜二烯系金屬化合物。專利文獻1和2沒有具體記載本發明的二氮雜二烯基化合物。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利申請公開第2013/0164456號說明書

專利文獻2：日本特表2013-545755號公報

發明內容

發明要解決的課題

在使化學氣相沉積用原料氣化而在基體表面上形成含有金屬的薄膜時，蒸氣壓高、無自燃性、且可形成高品質薄膜的化學氣相沉積用原料是適合的。為了形成更高品質的薄膜，必須使用ALD法在200℃以上的溫度下進行加熱。因此，需要一種化學氣相沉積用原料，其可應用于ALD法，并且蒸氣壓高、無自燃性，具有在200℃以上的熱分解開始溫度。這里，上述高品質的薄膜意味著膜中殘留的碳含量低。

解決課題的方法

本發明人進行了反復研究，結果發現，特定的二氮雜二烯基化合物可以解決上述課題，從而實現了本發明。

本發明提供下述通式(I)表示的二氮雜二烯基化合物。

[化1]

式中，R¹表示碳數1～6的直鏈或支鏈烷基，M表示鎳原子或錳原子。

另外，本發明提供薄膜形成用原料，其包含上述通式(I)表示的二氮雜二烯基化合物。

進而，本發明提供一種薄膜的制造方法，其包括：向設置有基體的成膜室內導入包含使上述薄膜形成用原料氣化而得到的二氮雜二烯基化合物的蒸氣，使該二氮雜二烯基化合物發生分解和/或化學反應，以在該基體的表面，形成含有選自鎳原子和錳原子中的至少1種原子的薄膜。

發明效果

根據本發明，可以得到蒸氣壓高、無自燃性和熱分解開始溫度非常高的二氮雜二烯基化合物。該二氮雜二烯基化合物特別適合作為通過CVD法或ALD法薄膜形成用原料。包含該二氮雜二烯基化合物的薄膜形成用原料可以通過CVD法或ALD法形成在膜中殘留的碳含量低的高品質薄膜。特別地，由于本發明的二氮雜二烯基化合物與氫的反應性特別良好，因此包含該二氮雜二烯基化合物的薄膜形成用原料可通過ALD法形成非常高品質的金屬鎳薄膜。

附圖說明

圖1是示出用于本發明的薄膜制造方法的化學氣相沉積用裝置的一例的概念圖。