[發明專利]耗盡型晶體管的自偏置和自排序

有效

• 申請號: 201780053065.4
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN109661775B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 貝諾內·阿切里洛阿耶;埃里克·奧康森
• 申請（專利權）人: 麥克姆技術解決方案控股有限公司
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193;H03F1/02;H03F1/52;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 謝攀;劉繼富

1.一種晶體管電路，包括：

晶體管，包括柵極端子、第一導電端子和第二導電端子；

第一電路，被配置為將所述晶體管電路的AC輸入信號轉換成柵極偏置電壓并將所述柵極偏置電壓施加到所述晶體管的柵極端子，所述第一電路包括RF耦合器、整流器和電壓調節器；

第二電路，被配置為將所述晶體管電路的AC輸入信號轉換成控制電壓；和

開關電路，被配置為響應于所述控制電壓將第一電壓施加到所述晶體管的第一導電端子，其中，所述第一電路和第二電路以及開關電路被配置為在將所述第一電壓施加到所述晶體管的第一導電端子之前將所述柵極偏置電壓施加到所述晶體管的柵極端子。

2.根據權利要求1所述的晶體管電路，其中，所述第二電路的時間常數比所述第一電路的時間常數長。

3.根據權利要求1所述的晶體管電路，其中，所述晶體管包括耗盡型晶體管。

4.根據權利要求3所述的晶體管電路，其中，所述柵極偏置電壓是負的，并且所述第一電壓是正的。

5.根據權利要求4所述的晶體管電路，其中，所述RF耦合器被配置為對所述AC輸入信號進行采樣，所述整流器被配置為對經采樣的AC輸入信號進行整流，并且所述電壓調節器被配置為提供固定的輸出電壓。

6.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述整流器包括二極管整流器。

7.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述整流器包括半橋整流器。

8.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述整流器包括全橋整流器。

9.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述電壓調節器包括齊納二極管。

10.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述RF耦合器包括定向耦合器。

11.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述第二電路包括RF耦合器和整流器。

12.根據權利要求5所述的晶體管電路，其中，所述晶體管包括氮化鎵耗盡型功率晶體管。

13.一種用于操作包括柵極端子以及第一導電端子和第二導電端子的晶體管的方法，包括：

使用第一電路將AC輸入信號轉換成柵極偏置電壓，所述第一電路包括RF耦合器、整流器和電壓調節器，并將所述柵極偏置電壓施加到所述晶體管的柵極端子；

將所述AC輸入信號轉換成控制電壓；以及

在將所述柵極偏置電壓施加到所述晶體管的柵極端子后，響應于所述控制電壓，將第一電壓施加到所述晶體管的第一導電端子。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，將所述AC輸入信號轉換成控制電壓包括使用第二電路將所述AC輸入轉換成控制電壓，所述第二電路的時間常數比第一電路的時間常數長。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述晶體管包括氮化鎵耗盡型功率晶體管，其中，施加到所述晶體管的柵極端子的柵極偏置電壓是負的，并且其中，施加到所述晶體管的第一導電端子的第一電壓是正的。