[發(fā)明專利]用于制造低K膜以填充表面特征的前體和可流動CVD方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780053056.5
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN109642315A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李建恒;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韋;蕭滿超;雷新建
• 申請（專利權(quán)）人: 弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/34;C23C16/32;C23C16/30;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.一種用于沉積含硅膜的方法，所述方法包括：

將包含至少一個表面特征的襯底放入溫度為約-20℃至約400℃的反應(yīng)器中；

向所述反應(yīng)器中引入至少一種具有至少一個乙酰氧基的含硅化合物，其中所述至少一種含硅化合物選自：

I(a)式(RCOO)_mR¹_nSiH_p的酰氧基硅烷，其中R選自氫、直鏈或支鏈C₁-C₆烷基；R¹選自直鏈或支鏈C₁-C₆烷基、直鏈或支鏈C₂-C₆烯基、直鏈或支鏈C₂-C₆炔基；m＝2或3；n＝1或2；p＝0或1；并且m+n+p＝4；

I(b)式(RCOO)_m(R²O)_nSiH_pR¹_q的酰氧基烷氧基硅烷，其中R選自氫、直鏈或支鏈C₁-C₆烷基；R¹選自直鏈或支鏈C₁-C₆烷基、直鏈或支鏈C₂-C₆烯基、直鏈或支鏈C₂-C₆炔基；R²選自直鏈或支鏈C₁-C₆烷基；m＝2或3；m＝1或2；p＝0或1；q＝0或1，并且m+n+p+q＝4；和

I(c)式(RCOO)_m(R³R⁴NO)_nSiH_pR¹_q的酰氧基氨氧基硅烷，其中R選自氫、直鏈或支鏈C₁-C₆烷基；R¹選自直鏈或支鏈C₁-C₆烷基、直鏈或支鏈C₂-C₆烯基、直鏈或支鏈C₂-C₆炔基；和R³選自氫、直鏈或支鏈C₁-C₁₀烷基；R⁴選自直鏈或支鏈C₁-C₆烷基；m＝2或3；n＝1或2；p＝0或1；q＝0或1，并且m+n+p+q＝4；和

向所述反應(yīng)器中提供原位等離子體或遠程等離子體源以至少部分地使所述至少一種含硅化合物反應(yīng)而形成可流動液體低聚物，其中所述可流動液體低聚物在所述襯底上形成涂層并至少部分地填充所述至少一個表面特征的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體選自基于原位或遠程等離子體源的包含氮的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氮和氦的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氮和氬的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氨的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氨和氦的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氨和氬的等離子體、氦等離子體、氬等離子體、氫等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氫和氦的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氫和氬的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氨和氫的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的有機胺等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氧的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含氧和氫的等離子體，及其混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體選自基于原位或遠程等離子體源的包含碳或烴的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含烴和氦的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含烴和氬的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含二氧化碳的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含一氧化碳的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含烴和氫的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含烴和氮的等離子體、基于原位或遠程等離子體源的包含烴和氧的等離子體，及其混合物。