[發明專利]顯示裝置及電子設備

有效

• 申請號: 201780052947.9
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN109643735B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平;肥冢純一;岡崎健一
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L51/50;H05B33/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;閆小龍

1.一種顯示裝置，包括：

像素部；以及

驅動所述像素部的驅動電路，

其中，所述驅動電路包括第一晶體管，

所述像素部包括第二晶體管及與所述第二晶體管電連接的像素電極，

所述第一晶體管包括第一柵電極、所述第一柵電極上的被用作溝道的第一金屬氧化物膜以及所述第一金屬氧化物膜上的第二柵電極，

所述第一柵電極及所述第二柵電極彼此電連接，

所述第二晶體管包括被用作溝道的第二金屬氧化物膜，

所述像素電極包括第三金屬氧化物膜，

所述第三金屬氧化物膜包括氫濃度比所述第二金屬氧化物膜高的區域，

所述第一金屬氧化物膜、所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜的每一個包括In、Zn及元素M，

所述第一金屬氧化物膜、所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜的每一個不具有包括原子個數比不同的二種以上的膜的疊層結構，

所述第一金屬氧化物膜、所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜的每一個包括第一區域及第二區域，

所述第一區域包括In或者Zn、以及氧，

所述第二區域包括In或者所述元素M、以及氧，

并且，所述第一區域及所述第二區域以馬賽克狀分散或者分布的方式混合。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中絕緣膜位于所述第一金屬氧化物膜及所述第二晶體管上，

所述第二金屬氧化物膜位于柵極絕緣膜上，

所述第三金屬氧化物膜及所述第二柵電極位于所述絕緣膜上，

并且所述第三金屬氧化物膜在所述絕緣膜的開口中與所述第二晶體管電連接。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中在所述第二晶體管上依次層疊有第一絕緣膜及第二絕緣膜，

所述第一絕緣膜位于所述第一金屬氧化物膜上，

所述第一絕緣膜及所述第二絕緣膜的每一個在所述第二晶體管上包括開口，

所述第二金屬氧化物膜位于柵極絕緣膜上，

所述第二柵電極位于所述第一絕緣膜上，

所述第三金屬氧化物膜位于所述第二絕緣膜上，

并且，所述第三金屬氧化物膜在所述第一絕緣膜及所述第二絕緣膜的開口中與所述第二晶體管電連接。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，

其中所述第一絕緣膜包括無機絕緣膜，

并且所述第二絕緣膜包括有機樹脂膜。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述第二晶體管包括第三柵電極及所述第三柵電極與所述第二金屬氧化物膜之間的柵極絕緣膜，

并且所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜位于所述柵極絕緣膜上。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三金屬氧化物膜的氫濃度為1×10²⁰atoms/cm³以上。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述第一金屬氧化物膜、所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜的每一個包括In、M及Zn原子的總和中In的含量為40%以上且50%以下的區域及In、M及Zn原子的總和中M的含量為5%以上且30%以下的區域，

并且所述元素M為鎵、鋁、硅、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂中的一個或多個。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中在所述第一金屬氧化物膜、所述第二金屬氧化物膜及所述第三金屬氧化物膜中，In、M及Zn的原子個數比為4：x：y，其中x為1.5以上且2.5以下且y為2以上且4以下，

并且所述元素M為鎵、鋁、硅、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂中的一個或多個。