[發明專利]有機半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201780052766.6
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN109643760B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 金渡桓;姜文晟;黃海重;樸韓蔚;伸智蕙
• 申請（專利權）人: 崇實大學校產學協力團;漢陽大學校產學協力團
• 主分類號: H10K71/00
• 分類號: H10K71/00;H10K71/40;H10K10/46;C08K5/56;H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;宋東穎

1.一種有機半導體器件制造方法，其特征在于，

包括：

在基板上形成第一有機半導體層，上述第一有機半導體層在其上部面具有反應基團的步驟；以及

向上述第一有機半導體層上提供自組裝前體來形成自組裝單分子層的步驟，

形成上述自組裝單分子層的步驟包括在上述自組裝前體與上述第一有機半導體層的上述反應基團之間形成化學鍵的步驟，

形成上述第一有機半導體層的步驟包括在上述基板上涂敷有機半導體溶液的步驟，

上述有機半導體溶液包含有機半導體物質及有機金屬前體，

形成上述第一有機半導體層的步驟還包括通過使上述多個有機金屬前體互相反應來形成網狀結構體的步驟。

2.根據權利要求1所述的有機半導體器件制造方法，其特征在于，

上述自組裝單分子層在其上部面上具有功能基團，

上述自組裝單分子層的上述功能基團與上述第一有機半導體層的上述反應基團互不相同。

3.根據權利要求1所述的有機半導體器件制造方法，其特征在于，

上述有機金屬前體由以下化學式1表示，

化學式1：

在化學式1中，M₁及M₂分別獨立地包含Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Si、Cu、Zn、Pd、Ag、Au、Hg、Pt、Ta、Mo、Zr、Mg、Sn、Ge、Y、Nb、Tc、Ru、Rh、Lu、Hf、W、Re、Os、Ir、Lr、Rf、Db、Sg、Bh、Hs、Mt、Ds、Rg及Uub中的至少一種，

Y為取代或未取代的C1至C30的烷基、C3至C30的環烷基、C3至C30的雜環基、C2至C30的烯基、C3至C30的環烯基、C2至C30的炔基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的烷硫基、C3至C30的芳醚基、C3至C30的芳基硫醚基、C3至C30的芳基、C3至C30的雜芳基、氰基、甲?；?、C1至C30的烷基羰基、C3至C30的芳基羰基、羧基、C1至C30的烷氧基羰基、C3至C30的芳氧基羰基、C1至C30的烷基羰氧基、C1至C30的芳基羰氧基、氨基甲?；?、氨基及甲硅烷基中的一種，

X₁及X₂為分別獨立地選自氫、取代或未取代的C1至C30的烷基、C3至C30的環烷基、C3至C30的雜環基、C2至C30的烯基、C3至C30的環烯基、C2至C30的炔基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的烷硫基、C3至C30的芳醚基、C3至C30的芳基硫醚基、C3至C30的芳基、C3至C30的雜芳基、鹵素原子、氰基、甲?；1至C30的烷基羰基、C3至C30的芳基羰基、羧基、C1至C30的烷氧基羰基、C3至C30的芳氧基羰基、C1至C30的烷基羰氧基、C1至C30的芳基羰氧基、氨基甲?；?、氨基及羥基中的一種，

上述取代的C1至C30的烷基包含被鹵素元素取代的烷基。

4.根據權利要求3所述的有機半導體器件制造方法，其特征在于，

還包括在上述基板與上述第一有機半導體層之間形成絕緣層的步驟，上述絕緣層在其上部面上具有功能基團，

形成上述第一有機半導體層的步驟包括使上述有機金屬前體與上述絕緣層的上述功能基團相結合的步驟。

5.根據權利要求4所述的有機半導體器件制造方法，其特征在于，還包括：

在上述基板與上述絕緣層之間形成柵極圖案的步驟；以及

在上述第一有機半導體層上形成源極/漏極圖案的步驟。

6.根據權利要求1所述的有機半導體器件制造方法，其特征在于，還包括：

在上述自組裝單分子層上形成絕緣層的步驟；

在上述絕緣層上形成柵極圖案的步驟；以及

在上述基板與上述第一有機半導體層之間形成源極/漏極圖案的步驟。