[發明專利]金屬掩模用原材料及其制造方法

有效

• 申請號: 201780052365.0
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109641248B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 大森章博;岡本拓也;飯田恭之
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: B21B1/22
• 分類號: B21B1/22;B21B3/02;C21D9/46;C22C19/03;C22C38/00;C22C38/08;C22F1/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發明提供一種抑制蝕刻后的形狀變化，并且在獲得良好的抗蝕劑密接性及蝕刻加工性方面較佳的金屬掩模用原材料及其制造方法。一種金屬掩模用原材料，軋制方向上的表面粗糙度及與軋制方向正交的方向上的表面粗糙度均為0.05μm≤Ra≤0.25μm，Rz≤1.5μm，所述金屬掩模用原材料中，與軋制方向正交的方向上的偏度Rsk為0以上，自所述金屬掩模用原材料切取長度150mm、寬度30mm的試樣，對所述試樣從單側進行蝕刻，除去所述試樣的板厚的60％時的翹曲量為15mm以下，板厚為0.10mm以上且0.5mm以下。

技術領域

本發明涉及一種金屬掩模(metal mask)用原材料及其制造方法。

背景技術

例如在有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)顯示器的制作中，為了對基板進行蒸鍍以生成彩色圖案(color patterning)，而使用金屬掩模。此種金屬掩模中，作為制作開孔部的方法之一，已知對Fe-Ni合金的薄板進行蝕刻加工的方法。為了提升所述蝕刻特性，進行了各種提案。例如，在專利文獻1中，為了能夠形成高精細的蝕刻圖案，而記載了一種蝕刻加工用原材料，其特征在于，在與軋制方向成直角的方向上測定的表面粗糙度為Ra：0.08μm～0.20μm，在軋制方向上測定的表面粗糙度為Ra：0.01μm～0.10μm，且在與軋制方向成直角的方向上測定的表面粗糙度與在軋制方向上測定的表面粗糙度相比，以Ra計而超出0.02μm，具有粗糙的表面粗糙度。而且在專利文獻2中，記載了通過對軋制面的晶體取向(111)、晶體取向(200)、晶體取向(220)、晶體取向(311)的X射線衍射強度進行調整，而提升了蝕刻性的金屬掩模材料。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-214447號公報

專利文獻2：日本專利特開2014-101543號公報

發明內容

發明所要解決的問題

為了制作高精細的有機EL顯示器等產品，需要在所使用的掩模中形成更高精度的圖案。因此，除了可均勻地進行蝕刻的表面，也要求為了抑制側面蝕刻(side etching)而進一步提升抗蝕劑與原材料的密接性。專利文獻1、專利文獻2分別為在提升蝕刻加工性方面優異的發明，但關于也同時提升密接性的方面，尚有進一步研究的余地。

本發明的目的在于提供一種抑制蝕刻后的形狀變化，并且在獲得良好的抗蝕劑密接性及蝕刻加工性方面較佳的金屬掩模用原材料及其制造方法。

解決問題的技術手段

本發明人等為了達成所述目的，對化學組成、表面粗糙度、殘留應力等對蝕刻加工具有影響的各種因素進行了積極研究。結果發現了能夠提升與抗蝕劑的密接性或進行均勻的蝕刻加工，并且對抑制蝕刻后的形狀變化有效的構成，從而想到了本發明。

即本發明的一方式為一種金屬掩模用原材料，以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質，其中，

所述金屬掩模用原材料中，軋制方向上的表面粗糙度及與軋制方向正交的方向上的表面粗糙度均為0.05μm≤Ra≤0.25μm、Rz≤1.5μm，

所述金屬掩模用原材料中，與軋制方向正交的方向上的偏度Rsk為0以上，

自所述金屬掩模用原材料切取長度150mm、寬度30mm的試樣，對所述試樣從單側進行蝕刻，除去所述試樣的板厚的60％時的翹曲量為15mm以下，板厚為0.10mm以上且0.5mm以下。

優選：所述金屬掩模用原材料的軋制方向上的偏度Rsk小于所述金屬掩模用原材料的與軋制方向正交的方向上的Rsk。