[發(fā)明專利]液晶介質(zhì)和液晶顯示器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780052357.6 | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN109642160A | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋東美;崔榕峴;姜在炫;尹容國 | 申請(專利權(quán))人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K19/20 | 分類號: | C09K19/20;C09K19/30;C09K19/60;C09K19/58;C09K19/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 陳晰 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合體系 可聚合化合物 液晶顯示器 液晶介質(zhì) 聚合 介晶化合物 空間選擇性 手性化合物 反射模式 制備 顯示器 | ||
1.液晶介質(zhì),包含
-一種或多種選自式I和II化合物的介晶化合物
其中,
R1和R2彼此獨立地為具有1到12個C原子的烷基,烷氧基,氟代烷基或氟代烷氧基,具有2到12個C原子的烯基,烯氧基,烷氧基烷基,氟代烯基或氟代烯氧基,
L11,L12,L21和L22彼此獨立地是H或F,
是
至
彼此獨立地是
X1是CN或NCS,
X2是鹵素,具有1到3個C原子的鹵代烷基或烷氧基,或具有2或3個C原子的鹵代烯基或烯氧基,和
i,l和m彼此獨立地是0或1,
-一種或多種手性化合物,和
-一種或多種可聚合化合物,
其中基于介質(zhì)的總含量,所述一種或多種可聚合化合物以2.0%或更多的重量存在。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介質(zhì),其中所述一種或多種可聚合化合物包含至少一種含有環(huán)烷基的化合物,所述環(huán)烷基優(yōu)選選自未取代或取代的橋連雙環(huán)和未取代或取代的金剛烷基,更優(yōu)選異冰片基或金剛烷基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的介質(zhì),其中所述一種或多種可聚合化合物包含一種、兩種或更多種丙烯酸酯基和/或甲基丙烯酸酯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中一項或多項的介質(zhì),其中所述一種或多種手性化合物具有20μm-1或更大的螺旋扭曲力的絕對值,并且其中優(yōu)選地,所述一種或多種手性化合物以一定濃度存在,使得所述介質(zhì)表現(xiàn)出具有在電磁光譜的近UV或可見光范圍內(nèi)的波長的選擇性反射。
5.復(fù)合體系,其通過聚合如權(quán)利要求1至3中一項或多項所述的一種或多種可聚合化合物而由權(quán)利要求1至4中一項或多項的介質(zhì)獲得或可獲得,
其中所述體系包含
-低分子量組分
包含選自如權(quán)利要求1所述的式I和II化合物的一種或多種介晶化合物和權(quán)利要求1或4所述的一種或多種手性化合物,和
-聚合組分
包含一種或多種通過聚合所述一種或多種可聚合化合物獲得或可獲得的聚合結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的復(fù)合體系,其中所述一種或多種手性化合物以一定濃度存在,使得所述低分子量組分表現(xiàn)出具有在電磁光譜的近UV或可見光范圍內(nèi)的波長的選擇性反射。
7.光調(diào)制元件,包含根據(jù)權(quán)利要求5或6的復(fù)合體系和至少一個基底,其中如權(quán)利要求5或6所述的組分由所述至少一個基底支撐并分離,使得包含所述一種或多種聚合結(jié)構(gòu)的聚合組分形成聚合壁,以在隔室中含有低分子量組分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的元件,其中所述至少一個基底包括電極以電尋址所述低分子量組分,并且其中所述聚合壁基于至少一個基底的表面并且至少部分地形成在電惰性區(qū)域中。
9.制備復(fù)合體系或光調(diào)制元件的方法,包括以下步驟:
(a)提供根據(jù)權(quán)利要求1至4中一項或多項的介質(zhì)作為層,
(b)在所述層的限定區(qū)域中進行如權(quán)利要求1至3中一項或多項所述的一種或多種可聚合化合物的空間選擇性聚合,以在所述限定區(qū)域中獲得聚合結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中在步驟(b)中,層的限定區(qū)域選擇性地暴露于光化輻射。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10的方法,其中所述層支撐在基底上,其中優(yōu)選所述層夾在兩個基底之間,并且其中所述聚合結(jié)構(gòu)形成為聚合壁,優(yōu)選通過選擇性地將所述限定區(qū)域暴露于UV輻射,更優(yōu)選地通過使用光掩模。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中一項或多項的方法,其中在步驟(b)之后,將整個層暴露于光化輻射,優(yōu)選UV輻射。
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