[發(fā)明專(zhuān)利]X射線(xiàn)生成設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780051938.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109644545B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 川瀨順也;山崎康二 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H05G1/06 | 分類(lèi)號(hào): | H05G1/06 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 白皎 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射線(xiàn) 生成 設(shè)備 | ||
1.一種X射線(xiàn)生成設(shè)備,所述X射線(xiàn)生成設(shè)備包括:
X射線(xiàn)管,所述X射線(xiàn)管包括:
包括電子發(fā)射源的陰極,
包括透射靶的陽(yáng)極,和
絕緣管,所述絕緣管分別經(jīng)由陽(yáng)極側(cè)連結(jié)部分和陰極側(cè)連結(jié)部分連結(jié)到所述陽(yáng)極和所述陰極中的每一個(gè),以及
絕緣液體;
導(dǎo)電的容器,所述容器包括朝向所述絕緣管延伸的凸緣部分和經(jīng)由彎曲部分從所述凸緣部分突出的突出部分,所述陽(yáng)極固定到所述突出部分,所述容器構(gòu)造成容納所述X射線(xiàn)管和絕緣液體,
其中,所述彎曲部分與所述陰極側(cè)連結(jié)部分之間的距離等于或大于所述陽(yáng)極側(cè)連結(jié)部分與所述陰極側(cè)連結(jié)部分之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,在所述X射線(xiàn)管的軸向方向上,所述彎曲部分定位于所述陽(yáng)極側(cè)連結(jié)部分與所述陰極側(cè)連結(jié)部分之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,當(dāng)從所述陰極朝向所述陽(yáng)極的方向被定義為正,并且容器的內(nèi)表面上沿軸向方向的位置由z表示時(shí),
所述絕緣管和所述容器之間的距離Li相對(duì)于z的一階導(dǎo)數(shù)局部最小的位置與所述彎曲部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,當(dāng)從所述陰極朝向所述陽(yáng)極的方向被定義為正,并且容器的內(nèi)表面上沿軸向方向的位置由z表示時(shí),
所述絕緣管和所述容器之間的距離Li相對(duì)于z的二階導(dǎo)數(shù)的符號(hào)從負(fù)變?yōu)檎奈恢门c所述彎曲部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述凸緣部分和所述突出部分各自均由金屬材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述容器接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述陽(yáng)極通過(guò)所述容器接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,所述X射線(xiàn)生成設(shè)備還包括:
驅(qū)動(dòng)所述X射線(xiàn)管的驅(qū)動(dòng)電路,
其中,所述驅(qū)動(dòng)電路和絕緣液體存儲(chǔ)在所述容器中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述容器包括后容納部分,所述后容納部分沿閉合線(xiàn)與所述凸緣部分連續(xù),并且
其中,所述驅(qū)動(dòng)電路容納在所述后容納部分中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述驅(qū)動(dòng)電路包括控制從所述電子發(fā)射源發(fā)射的電子的數(shù)量的電子數(shù)量控制器。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述驅(qū)動(dòng)電路包括在所述陽(yáng)極和所述陰極之間施加管電壓的管電壓驅(qū)動(dòng)器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述透射靶包括在被電子照射時(shí)產(chǎn)生X射線(xiàn)的靶層,以及支撐所述靶層并透射所產(chǎn)生的X射線(xiàn)的支撐窗口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述絕緣管位于所述陽(yáng)極和所述陰極之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述凸緣部分環(huán)狀地延伸,使得彎曲部分包圍所述絕緣管。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備,其中,所述突出部分在遠(yuǎn)離所述后容納部分的方向上從所述凸緣部分突出。
16.一種X射線(xiàn)成像系統(tǒng),所述X射線(xiàn)成像系統(tǒng)包括:
根據(jù)權(quán)利要求1至15中的任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)生成設(shè)備;
X射線(xiàn)檢測(cè)裝置,所述X射線(xiàn)檢測(cè)裝置檢測(cè)從所述X射線(xiàn)生成設(shè)備發(fā)射并穿過(guò)對(duì)象的X射線(xiàn);和
系統(tǒng)控制器,所述系統(tǒng)控制器彼此協(xié)作地控制所述X射線(xiàn)生成設(shè)備和所述X射線(xiàn)檢測(cè)裝置。
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