[發明專利]磁傳感器及電流傳感器

有效

• 申請號: 201780051693.9
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN109643755B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 井出洋介
• 申請（專利權）人: 阿爾卑斯阿爾派株式會社
• 主分類號: H10N50/10
• 分類號: H10N50/10;G01R15/20;G01R33/09;H10N50/85
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李默;陳林

1.一種磁傳感器，所述磁傳感器具備磁阻效應元件，所述磁阻效應元件在特定方向上具有靈敏度軸，其中，

所述磁阻效應元件在基板上具有將固定磁性層與自由磁性層隔著非磁性材料層層疊而成的層疊結構，

所述磁阻效應元件在所述自由磁性層的與所述非磁性材料層相向一側的相反側具有第一反鐵磁性層，所述第一反鐵磁性層能夠在與所述自由磁性層之間產生交換耦合偏置從而使所述自由磁性層的磁化方向在能夠進行磁化變動的狀態下與規定方向一致，

所述自由磁性層具有失配減小層和鐵磁性層，所述失配減小層以與所述第一反鐵磁性層相接的方式設置來減小所述自由磁性層相對于所述第一反鐵磁性層的晶格失配，所述鐵磁性層設置在所述失配減小層的與所述第一反鐵磁性層相向一側的相反側并且由強磁性材料構成，

所述鐵磁性層具有由CoFe層構成的導電性鐵磁性層以及與CoFe相比阻抗溫度系數低的NiFeNb層，所述導電性鐵磁性層比所述NiFeNb層更靠近所述非磁性材料層側，并且所述導電性鐵磁性層的電阻率比所述NiFeNb層的電阻率低。

2.根據權利要求1所述的磁傳感器，其中，

所述失配減小層和所述鐵磁性層具有面心立方(fcc)結構，所述失配減小層的fcc(111)面中的晶格面間隔大于所述鐵磁性層的fcc(111)面中的晶格面間隔。

3.根據權利要求1或2所述的磁傳感器，其中，

所述失配減小層含有鐵族元素中的一種或兩種以上以及鉑族元素中的一種或兩種以上。

4.一種磁傳感器，所述磁傳感器具備磁阻效應元件，所述磁阻效應元件在特定方向上具有靈敏度軸，其中，

所述磁阻效應元件在基板上具有將固定磁性層與自由磁性層隔著非磁性材料層層疊而成的層疊結構，

所述磁阻效應元件在所述自由磁性層的與所述非磁性材料層相向一側的相反側具有第一反鐵磁性層，所述第一反鐵磁性層能夠在與所述自由磁性層之間產生交換耦合偏置從而使所述自由磁性層的磁化方向在能夠進行磁化變動的狀態下與規定方向一致，

所述自由磁性層具有第一層和鐵磁性層，所述第一層含有鐵族元素中的一種或兩種以上以及鉑族元素中的一種或兩種以上，并且以與所述第一反鐵磁性層相接的方式設置，所述鐵磁性層設置在所述第一層的與所述第一反鐵磁性層相向一側的相反側并且由強磁性材料構成，

所述鐵磁性層具有由CoFe層構成的導電性鐵磁性層以及與CoFe相比阻抗溫度系數低的NiFeNb層，所述導電性鐵磁性層比所述NiFeNb層更靠近所述非磁性材料層側，并且所述導電性鐵磁性層的電阻率比所述NiFeNb層的電阻率低。

5.根據權利要求1或4所述的磁傳感器，其中，

所述第一反鐵磁性層含有鉑族元素和Mn。

6.根據權利要求1或4所述的磁傳感器，其中，

所述第一反鐵磁性層由IrMn和PtMn中的至少一者形成。

7.根據權利要求1或4所述的磁傳感器，其中，

所述導電性鐵磁性層與所述非磁性材料層相接。

8.根據權利要求1或4所述的磁傳感器，其中，

所述導電性鐵磁性層含有面心立方結構的CoFe類合金。

9.根據權利要求8所述的磁傳感器，其中，

所述導電性鐵磁性層由面心立方結構的CoFe類合金構成，所述導電性鐵磁性層的厚度為以上以下。

10.一種電流傳感器，其中，

具有權利要求1～9中任一項所述的磁傳感器。