[發明專利]太陽能單電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201780051599.3
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN109643738A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 高濱豪;筱原亙;市橋由成;吉村直記
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L31/0248
• 分類號: H01L31/0248;H01L31/0747
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供太陽能單電池(100)的制造方法，其包括通過對半導體襯底(10)照射激光使表面非晶化來形成本征非晶層(12i)、第1導電型層(12n)和第2導電型層(12p)的工序；和將氫導入到本征非晶層(12i)、第1導電型層(12n)和第2導電型層(12p)的工序。

技術領域

本發明涉及太陽能單電池及其制造方法。

背景技術

作為發電效率高的太陽能電池，已知一種具有在晶體硅上層疊非晶硅層的結構的太陽能電池。這種太陽能電池中，采用在清洗后的晶體硅的表面上通過使用硅烷氣體等含硅氣體的化學氣相沉積(CVD)形成非晶硅層的方法。

另一方面，公開了一種通過向晶體硅的表面照射激光而使晶體硅的表面非晶化的技術。

發明內容

發明要解決的課題

但是，在使用CVD的非晶硅層的形成方法中，需要使用真空裝置。在使用CVD而在晶體硅上形成非晶硅層的情況下，在晶體硅與非晶硅層的界面會殘留雜質。該雜質會影響形成于有雜質殘留的晶體硅的表面的非晶硅的結晶性和太陽能單電池完成后的電特性。為此，優選該界面雜質少，更優選不存在雜質。但是，難以防止在將晶體硅的襯底搬入真空裝置的工序中雜質的附著。

本發明鑒于該狀況，目的在于提供一種減少晶體硅與非晶硅層的界面上的雜質的太陽能單電池的制造方法和太陽能單電池。

用于解決課題的方法

本發明的太陽能單電池的制造方法包括：通過對晶體硅襯底照射激光使上述晶體硅襯底的表面非晶化來形成非晶硅層的第1工序；和向上述非晶硅層導入氫的第2工序。

本發明的太陽能單電池是一種在晶體硅襯底的表面具有非晶硅層的太陽能單電池，上述晶體硅襯底與上述非晶硅層的界面的氧濃度與上述晶體硅襯底的主體內的氧濃度相同。

發明效果

根據本發明，能夠通過不使用CVD地形成非晶硅層來提供太陽能單電池。

附圖說明

圖1是表示本發明實施方式的太陽能單電池的結構的圖。

圖2是表示本發明實施方式的太陽能單電池的結構的圖。

圖3是表示本發明實施方式的太陽能單電池的制造方法圖。

圖4是表示本發明實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖5是表示本發明實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖6是表示本發明實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖7是表示本發明變形例1的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖8是表示本發明變形例1的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖9是表示本發明變形例1的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖10是表示本發明變形例1的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖11是表示本發明變形例2的太陽能單電池的結構的圖。

圖12是表示本發明其他實施方式的太陽能單電池的結構的圖。

圖13是表示本發明其他實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖14是表示本發明其他實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖15是表示本發明其他實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

圖16是表示本發明其他實施方式的太陽能單電池的制造方法的圖。

具體實施方式