[發(fā)明專利]CEM切換裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780051577.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109643757A | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | K·G·里德;L·施弗倫;J·塞爾內(nèi)斯卡;C·P·阿爾奧喬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 阿姆有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 王海寧 |
| 地址： | 英國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 英國(guó);GB |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 切換裝置 關(guān)聯(lián)電子材料 導(dǎo)電覆蓋層 導(dǎo)電基 電阻層 可用 制造 | ||
1.一種用于制造切換裝置的方法，該方法包括形成導(dǎo)電基底，在導(dǎo)電基底上形成關(guān)聯(lián)電子材料的初級(jí)層，以及在初級(jí)層上形成導(dǎo)電覆蓋層，其中形成導(dǎo)電基底和導(dǎo)電覆蓋層包括：納入摻雜劑，從而提供在初級(jí)CEM層和導(dǎo)電基底之間的關(guān)聯(lián)電子材料的次級(jí)層，以及在初級(jí)CEM層和導(dǎo)電覆蓋層之間的關(guān)聯(lián)電子材料的次級(jí)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，包括通過如下方式來形成導(dǎo)電基底和覆蓋層：沉積摻雜的金屬或金屬化合物的層，或者沉積金屬或金屬化合物的層并處理所述層以納入摻雜劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，包括：在形成初級(jí)層之后通過對(duì)其退火處理所述層。
4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的方法，其中形成導(dǎo)電基底和/或覆蓋層包括物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積利用有機(jī)金屬前體或有機(jī)前體。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的方法，其中物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積利用無機(jī)前體。
7.一種包含關(guān)聯(lián)電子材料的切換裝置，其中關(guān)聯(lián)電子材料的初級(jí)層設(shè)置在導(dǎo)電基底上方，并且導(dǎo)電覆蓋層設(shè)置在初級(jí)層上方，其中關(guān)聯(lián)電子材料的次級(jí)層設(shè)置在初級(jí)層和導(dǎo)電基底以及初級(jí)層和導(dǎo)電覆蓋層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中所述導(dǎo)電基底和覆蓋層包含金屬或金屬化合物，并且所述初級(jí)層包含金屬化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中所述導(dǎo)電基底和覆蓋層的金屬與所述次級(jí)層的金屬相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的器件，其中所述導(dǎo)電基底和覆蓋層的金屬不同于所述初級(jí)層的金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10任一項(xiàng)的器件，其中所述初級(jí)層包含鎳氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11任一項(xiàng)的器件，其中所述導(dǎo)電基底和/或?qū)щ姼采w層包括下列中的一種或多種：氮化鈦，氮化鉭和氮化鎢，鉑，鈦，銅，鋁，鈷，鎳，鎢，硅化鈷，氧化釕，鉻，金，鈀，氧化銦錫，鉭，銀，銥，氧化銥或它們的任何組合。
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