[發明專利]MEMS設備和方法有效
| 申請號： | 201780051436.5 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN109644308B | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | S·杜菲;C·R·詹金斯;T·H·胡克斯特拉 | 申請（專利權）人： | 思睿邏輯國際半導體有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/00 | 分類號： | H04R19/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人： | 陳璐;鄭建暉 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 設備 方法 | ||
1.一種MEMS換能器，包括：
一個基底，所述基底具有一個腔；
一個膜材料層，所述膜材料層相對于所述基底設置，其中所述膜材料層在所述腔上方延伸；
一個導電材料層，所述導電材料層設置在所述膜材料層的表面上；
所述導電材料層包括至少一個第一區域和至少一個第二區域，所述第一區域具有第一厚度和第一電導率，所述第二區域具有第二厚度和第二電導率，其中所述導電材料層的所述第一區域和所述第二區域表現出不同的電導率；
其中所述第一區域和所述第二區域設置在相對于所述膜材料層的柔性膜區域的x/y平面的不同位置，其中所述x/y平面由所述柔性膜區域的平面定義。
2.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述第一區域和所述第二區域在所述膜材料層的表面上形成電連續導電層。
3.根據前述權利要求中任一項所述的MEMS換能器，其中所述導電材料層的所述第二區域包括導電材料的第一子層和第二子層。
4.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中所述子層中的至少一個包括一個具有至少一個開口的導電材料層。
5.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中至少一個第一區域設置在所述膜材料層的覆蓋所述基底腔的區域上。
6.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中形成所述第一區域的導電材料層的導電材料包括一個導電材料的連續片材。
7.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中形成所述第一區域的導電材料層的導電材料包括一個具有至少一個開口的導電材料層。
8.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述導電材料層形成所述換能器的膜電極。
9.根據權利要求8所述的MEMS換能器，其中所述導電材料層形成一個導電線路，所述導電線路在所述膜電極和用于將所述膜電極電耦合到用于讀出的電路系統的區域之間延伸。
10.根據權利要求9所述的MEMS換能器，其中所述線路至少部分由至少一個第二區域形成。
11.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述導電材料層的至少一個第二區域設置在所述膜材料層的表面的一個區域上，該區域在所述膜材料層的覆蓋所述腔的區域的橫向外側。
12.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述膜材料層表現出至少一個在第一水平和第二水平之間的階躍，并且其中至少一個第二區域設置在所述膜材料層的包括所述階躍的區域上。
13.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述第二區域包括一個或多個元件或互連線路，所述一個或多個元件或互連線路設置在所述膜材料層的覆蓋所述腔的區域上。
14.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述第一區域表現出比所述第二區域低的電導率。
15.根據權利要求14所述的MEMS換能器，其中所述第一區域包括導電介質材料。
16.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述第二區域包括金屬材料或金屬合金材料。
17.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述膜材料層包括晶體材料或多晶材料。
18.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述導電材料層包括三個或更多個區域，每個區域具有與其他區域不同的厚度和/或電導。
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