[發明專利]激光退火裝置、帶晶化膜基底的檢查方法及半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201780051430.8
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109643647B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 大森賢一;鄭石煥;佐藤亮介;町田政志
• 申請（專利權）人: JSW阿克迪納系統有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/786
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種具有晶化膜的基底的檢查方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(A)以激光光束照射一基底上的非晶膜，以使得所述非晶膜結晶化并形成晶化膜；

(B)以探測光束照射所述晶化膜；

(C)以一光電檢測器檢測透過所述晶化膜的所述探測光束；

(D)通過傳送所述基底改變所述探測光束在所述晶化膜上的照射位置，以獲得所述光電檢測器的檢測信號的多個檢測值；以及

(E)根據所述多個檢測值的標準差，判斷所述晶化膜的結晶狀態，

其中，所述激光光束通過一投影透鏡，在所述非晶膜上形成一線形照射區域，以及

所述光電檢測器對通過所述投影透鏡的所述探測光束進行檢測，

在傳送方向上，所述探測光束的照明區域和所述激光光束的所述線形照射區域之間存在間隙。

2.根據權利要求1所述的檢查方法，其特征在于，所述步驟(E)包括：

將所述標準差與一閾值相比較；以及

當所述標準差小于所述閾值時，將所述基底判斷為無缺陷，或者當所述標準差大于或等于所述閾值時，將所述基底判斷為有缺陷。

3.根據權利要求1或2所述的檢查方法，其特征在于，所述步驟(E)還包括根據所述多個檢測值的平均值，判斷所述結晶狀態。

4.根據權利要求1或2所述的檢查方法，其特征在于，

所述探測光束在所述晶化膜上形成線形的所述照明區域，以及

透過所述晶化膜的所述探測光束由一聚光透鏡會聚于所述光電檢測器上。

5.根據權利要求1或2所述的檢查方法，其特征在于，所述步驟(D)包括在以所述激光光束和所述探測光束同時照射所述基底的過程中，傳送所述基底，以改變所述激光光束的照射位置以及所述探測光束的照射位置。

6.根據權利要求1或2所述的檢查方法，其特征在于，

所述步驟(A)包括在將置于一基臺上的所述基底移動的同時，以所述激光光束照射所述非晶膜，

所述步驟(B)包括在所述基臺外部以所述探測光束照射所述非晶膜，以及

所述步驟(D)包括由一機械手臂將所述基臺上的所述基底移出，以改變所述探測光束的所述照射位置。

7.根據權利要求6所述的檢查方法，其特征在于，所述步驟(C)包括由所述光電檢測器對兩次或更多次通過所述晶化膜的所述探測光束進行檢測。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(a)在一基底上形成非晶膜；

(b)以激光光束照射所述非晶膜，以使得所述非晶膜結晶化并形成晶化膜；

(c)以探測光束照射所述晶化膜；

(d)以一光電檢測器檢測透過所述晶化膜的所述探測光束；

(e)通過傳送所述基底改變所述探測光束在所述晶化膜上的照射位置，以獲得所述光電檢測器所輸出的檢測信號的多個檢測值；

(f)根據所述多個檢測值的標準差，判斷所述晶化膜的結晶狀態；以及

(g)根據所述結晶狀態的判斷結果，以所述激光光束再次照射所述晶化膜，

其中，所述激光光束通過一投影透鏡，在所述非晶膜上形成一線形照射區域，以及

所述光電檢測器對通過所述投影透鏡后的所述探測光束進行檢測，

在傳送方向上，所述探測光束的照明區域和所述激光光束的所述線形照射區域之間存在間隙。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(f)包括：

將所述標準差與一閾值相比較；以及

當所述標準差小于所述閾值時，將所述基底判斷為無缺陷，或者當所述標準差大于或等于所述閾值時，將所述基底判斷為有缺陷。

10.根據權利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述步驟(f)還包括根據所述多個檢測值的平均值，判斷所述結晶狀態。