[發明專利]晶體管驅動電路和電動機驅動控制裝置

有效

• 申請號: 201780050288.5
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN109804539B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 篠宮幸平;巖村剛宏;丹羽章雅;山本昌弘;西本圣司
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/00;H02M7/48;H03K17/06;H03K17/56;H03K17/567
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡曼

1.一種晶體管驅動電路，其特征在于，

以雙極型晶體管(1)和MOSFET(2)并聯連接的結構為驅動對象，

包括對所述雙極型晶體管或者MOSFET的溫度進行檢測的溫度檢測元件(15)，

若所述溫度為閾值以下，則使所述MOSFET和所述雙極型晶體管雙方接通，

若所述溫度大于閾值，則僅使所述雙極型晶體管接通。

2.如權利要求1所述的晶體管驅動電路，其特征在于，

利用所述溫度檢測元件，對所述MOSFET的溫度進行檢測。

3.如權利要求1或2所述的晶體管驅動電路，其特征在于，包括：

斷開延遲電路(7)，所述斷開延遲電路(7)使輸入信號的下降時刻延遲；

雙極驅動電路(8)，所述雙極驅動電路(8)根據經由所述斷開延遲電路輸入的信號的電平變化，向所述雙極型晶體管的柵極施加接通電平電壓和斷開電平電壓；

MOS驅動電路(10)，所述MOS驅動電路(10)向所述MOSFET的柵極施加接通電平電壓和斷開電平電壓；

溫度檢測部(16)，所述溫度檢測部(16)輸出與所述溫度檢測元件檢出的溫度對應的電壓信號；

峰值保持電路(17)，所述峰值保持電路(17)對所述電壓信號的峰值進行保持；

比較器(18)，所述比較器(18)對所述峰值和閾值進行比較；

上升判斷電路(11)，所述上升判斷電路(11)在所述雙極型晶體管接通期間，當所述晶體管的驅動電壓大于規定電壓時，輸出觸發信號；

接通/斷開判斷電路(14)，所述接通/斷開判斷電路(14)在所述觸發信號輸入時，根據所述比較器的比較結果，決定是否利用所述MOS驅動電路使所述MOSFET接通；以及

下降檢測電路(9)，所述下降檢測電路(9)對輸入信號的下降沿進行檢測，輸出用于通過所述MOS驅動電路使所述MOSFET斷開的斷開指令。

4.一種晶體管驅動電路，其特征在于，

以雙極型晶體管(1)和MOSFET(2)并聯連接的結構為驅動對象，

包括對流過所述雙極型晶體管的電流進行檢測的電流檢測元件(5)，

若所述電流為閾值以下，則使所述MOSFET和所述雙極型晶體管雙方接通，

若所述電流大于所述閾值，則僅使所述雙極型晶體管接通。

5.如權利要求4所述的晶體管驅動電路，其特征在于，包括：

斷開延遲電路(7)，所述斷開延遲電路(7)使輸入信號的下降時刻延遲；

雙極驅動電路(8)，所述雙極驅動電路(8)根據經由所述斷開延遲電路輸入的信號的電平變化，向所述雙極型晶體管的柵極施加接通電平電壓和斷開電平電壓；

MOS驅動電路(10)，所述MOS驅動電路(10)根據所述輸入信號的電平變化，向所述MOSFET的柵極施加接通電平電壓和斷開電平電壓；

比較器(22、23)，所述比較器(22、23)對根據所述電流檢測元件檢出的電流而輸出的電壓信號和閾值進行比較；

上升判斷電路(11)，所述上升判斷電路(11)在所述雙極型晶體管接通期間，當所述晶體管的驅動電壓大于規定電壓時，輸出觸發信號；

接通/斷開判斷電路(24)，所述接通/斷開判斷電路(14)在所述觸發信號輸入時，根據所述比較器的比較結果，決定是否利用所述MOS驅動電路使所述MOSFET接通；以及

下降檢測電路(9)，所述下降檢測電路(9)對輸入信號的下降沿進行檢測，輸出用于通過所述MOS驅動電路使所述MOSFET斷開的斷開指令。

6.一種晶體管驅動電路，其特征在于，

以雙極型晶體管(1)和MOSFET(2)并聯連接的結構為驅動對象，

包括對流過所述雙極型晶體管的電流進行檢測的電流檢測元件(5)，

若所述電流為一方的極性中的第一閾值以下，則使所述MOSFET和所述雙極型晶體管雙方接通，若所述電流大于所述第一閾值，則僅使所述雙極型晶體管接通，

若所述電流為另一方的極性中的、設定得比所述第一閾值相當值高的第二閾值以下，則使所述雙極型晶體管和所述MOSFET同時接通，若所述電流大于所述第二閾值，則僅使所述雙極型晶體管接通。