[發明專利]基于光柵的光發射機

有效

• 申請號: 201780050212.2
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN110301075B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 陳書履;那允中
• 申請（專利權）人: 光引研創股份有限公司
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張煥生;戚傳江

1.一種光學裝置，包括：

光源區，所述光源區被配置為產生光；

第一反射區和第二反射區，所述第一反射區和第二反射區被配置為反射所產生的光以使得沿第一方向形成干涉光；

干涉區，所述干涉區形成在所述第一反射區和所述第二反射區之間并且耦合到所述光源區，并且所述干涉區被配置為限制由所述第一反射區和所述第二反射之間反射的光沿所述第一方向形成的干涉光的至少一部分；以及

光柵區，所述光柵區包含第一光柵結構和第二光柵結構，這兩個光柵結構具有基本相同的周期但不同的占空比，其中，這兩個光柵結構沿所述第一方向以180°相位偏移布置，

其中，所述光柵區形成在限制所述干涉光的至少一部分的區上，并且所述光柵區被配置為沿著不同于所述第一方向的第二方向發射所述光的至少一部分，

其中，通過去除或增加所述光柵結構的至少一個區段，在所述光柵區中形成四分之一波長偏移區。

2.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述第一光柵結構的光柵周期性基本上與所述干涉區內的干涉光的周期性相匹配。

3.如權利要求1所述的光學裝置，其中，沿所述第一方向在所述四分之一波長偏移區附近形成錐形區，其中，所述錐形區的周期或占空比從更接近所述四分之一波長偏移區的一側朝遠離所述四分之一波長偏移區的一側增大或減小。

4.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述第一反射區是形成分布式反饋或分布式布拉格反射的表面波紋狀光柵結構。

5.如權利要求4所述的光學裝置，其中，所述光柵區的第一光柵結構的占空比不同于所述第一反射區的表面波紋光柵結構的占空比，并且所述第一光柵結構的周期兩倍于所述表面波紋光柵結構的周期。

6.如權利要求4所述的光學裝置，其中，所述光柵區的第一光柵結構形成在與所述第一反射區的表面波紋光柵結構相同的平面上。

7.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述光源至少部分地嵌入所述干涉區中，并且包含形成量子阱或量子線或量子點結構的交替的III-V材料層。

8.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述光柵區的一部分形成在所述干涉區或所述第一反射區上。

9.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述第二方向基本垂直于所述第一方向。

10.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述第一光柵結構區的光柵周期為d2，其中，所述干涉區內的干涉光的強度周期為d1，其中，d2基本上等于2×d1。

11.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述光柵區具有沿所述第一方向的光柵長度以及沿在平面上垂直于所述第一方向的第三方向的光柵寬度，并且所述光柵寬度不同于所述光柵長度，以獲得圓形光束剖面。

12.如權利要求1所述的光學裝置，進一步包括：

n摻雜區和p摻雜區，所述n摻雜區和p摻雜區被配置為通過在所述n摻雜區和所述p摻雜區上施加電壓或電流，在所述干涉區中提供電場，

其中，所述干涉區被配置為通過在所述n摻雜區和所述p摻雜區上施加電壓或電流來為所述干涉光提供不同的干涉圖案。

13.如權利要求1所述的光學裝置，進一步包括：

n摻雜區和p摻雜區，所述n摻雜區和p摻雜區被配置為通過在所述n摻雜區和所述p摻雜區上施加電壓或電流，在所述第一和/或第二反射區中提供電場，

其中，所述第一和/或第二反射區被配置為通過在所述n摻雜區和所述p摻雜區上施加電壓或電流來提供不同的反射率。

14.如權利要求1所述的光學裝置，其中，所述第一反射區或所述第二反射區包括下述之一：角鏡，DBR鏡，DFB鏡，異常色散鏡，波導環鏡，具有金屬鏡的介電層，金屬層。