[發明專利]具有紅色發射熒光體的核-殼材料在審
| 申請號: | 201780050209.0 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN109790453A | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發明(設計)人: | J.E.墨菲;W.W.比爾斯;W.E.科亨 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/61;C09K11/77;H01L33/50 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐晶;李志強 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 式( I ) 熒光體 紅色發射 電荷 摻雜的 殼材料 離子 | ||
1.一種涂布的熒光體,其包含
直接布置在包含第二熒光體的核上的包含式I的第一熒光體的殼;
Ax[MFy]:Mn4+
I
其中所述第二熒光體為選自Ce3+-摻雜的石榴石、Eu2+-摻雜的氮氧化物、Eu2+-摻雜的氮化物及其組合的熒光體;
其中
A每次出現時獨立地為Li、Na、K、Rb、Cs或其組合;
M每次出現時獨立地為Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其組合;
x為[MFy]離子的電荷的絕對值;和
y為5、6或7。
2.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為綠色熒光體。
3.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為Ce3+-摻雜的石榴石熒光體。
4.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為Ce3+-摻雜的釔鋁石榴石熒光體。
5. 根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α:Ce3+ (其中0≤α≤0.5)。
6.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為Eu2+-摻雜的β-SiAlON熒光體。
7.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為CaAlSiN3:Eu2+。
8.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為Eu2+-摻雜的氮化物熒光體。
9.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第二熒光體為(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、Sr[LiAl3N4]:Eu2+、Sr[Mg3SiN4]:Eu2+、(Sr,Ca)S:Eu2+或其組合。
10.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中M為Si、Ge、Sn、Ti、Zr或其組合。
11. 根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中A為Na、K或其組合。
12.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中
A為Na、K、Rb、Cs或其組合;
M為Si、Ge、Ti或其組合;和
Y為6。
13.根據權利要求1所述的涂布的熒光體,其中所述第一熒光體為K2SiF6:Mn4+。
14.一種照明設備,其包含半導體光源;和根據權利要求1所述的涂布的熒光體。
15.一種背光裝置,其包含半導體光源;和根據權利要求1所述的涂布的熒光體熒光體。
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