[發明專利]通過暴露于紫外線能量制造相關電子材料膜

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• 申請號: 201780049967.0
• 申請日: 2017-08-10
• 公開（公告）號: CN109643756A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 金柏莉·蓋伊·里德;盧西恩·斯弗恩
• 申請（專利權）人: ARM有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C23C16/48
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 林強

1.一種構建器件的方法，包括：

由第一材料形成基板；以及

在腔室中，在所述基板上形成一層或多層相關電子材料(CEM)，其中，

在所述基板上形成所述一層或多層CEM包括在形成所述一層或多層CEM的一部分期間將所述CEM的一種或多種化學前體暴露于主要具有紫外頻率成分的光源。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一層或多層CEM還包括利用原子層沉積工藝、等離子體氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝、旋涂沉積工藝、或其任何組合。

3.根據權利要求2的方法，其中，所述CEM的一種或多種化學前體包括氣態的脒基鎳(Ni(AMD))、雙(環戊二烯基)鎳(Ni(Cp)₂)、雙(乙基環戊二烯基)鎳(Ni(EtCp)₂)、雙(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)鎳(II)(Ni(thd)₂)、乙酰丙酮鎳(Ni(acac)₂)、雙(甲基環戊二烯基)鎳(Ni(CH₃C₅H₄)₂)、二甲基乙二酸鎳(Ni(dmg)₂)、2-氨基-戊-2-烯-4-基鎳(Ni(apo)₂)、Ni(dmamb)₂(其中dmamb表示1-二甲基氨基-2-甲基-2-丁醇酯)、Ni(dmamp)₂(其中dmamp表示1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙醇酯)、雙(五甲基環戊二烯基)鎳(Ni(C₅(CH₃)₅)₂)或四羰基鎳(Ni(CO)₄)或其任何組合。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一層或多層CEM還包括利用原子層沉積工藝，并且其中，

將所述CEM的所述一種或多種化學前體暴露于光源包括在吹掃腔室的用于所述原子層沉積工藝的前體氣體之后將所述一層或多層CEM中的至少一層暴露于光源。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一層或多層CEM還包括利用原子層沉積工藝，并且其中，

將所述CEM的一種或多種化學前體暴露于光源包括在所述CEM的一種或多種化學前體暴露期間暴露所述一層或多層CEM中的至少一層，所述CEM的一種或多種化學前體包含氣態氧。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，在所述基板上形成所述一層或多層CEM還包括利用化學氣相沉積工藝。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，將所述CEM的一種或多種化學前體暴露于光源包括在所述一層或多層CEM暴露于一種或多種化學前體期間將所述一層或多層CEM中的至少一層暴露于光源。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，形成所述一層或多層CEM層的一部分包括熱敏部分，所述熱敏部分在低于400.0℃的腔室溫度下發生。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，主要具有紫外頻率成分的光源包括發射能量的光源，其中，所發射的能量的至少50％包括波長在約100.0nm至450.0nm之間的能量。

10.一種構建器件的方法，包括：

在腔室中，在由第一材料形成的基板上形成一層或多層相關電子材料(CEM)，在所述基板上形成所述一層或多層CEM包括將所述CEM的一種或多種化學前體暴露于主要具有紫外頻率成分的光源；以及

在形成所述一層或多層CEM期間保持腔室的溫度不超過400.0℃。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述一層或多層CEM包括利用原子層沉積工藝、等離子體氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝、旋涂沉積工藝、或其任何組合。