[發明專利]低功率光纖光收發器

在審

• 申請號: 201780049212.0
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN109644050A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 大衛·M·雷克托;雷蒙德·W·賴斯;史蒂文·沃茨;文斯·B·哈德利
• 申請（專利權）人: 施瓦哲工程實驗有限公司
• 主分類號: H04B10/40
• 分類號: H04B10/40;H04B10/50;H04B10/564;H04B10/69
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 楊明釗;陸建萍

1.一種低功率光學收發器，包括:

微控制器；

光學接收器，所述光學接收器與所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光學接收器還包括:

光電檢測器，所述光電檢測器被配置為接收待接收的第一信號的第一光學表示，并生成所述第一信號的電學表示；

放大器，所述放大器被配置為放大所述第一信號的所述電學表示；

輸出端，所述輸出端與所述放大器電通信，并被配置為生成電輸出；以及

光學發射器，所述光學發射器與所述微控制器通信并由所述微控制器控制，并且所述光學發射器還包括:

激光二極管，被配置為生成待發射的第二信號的第二光學表示；

其中，所述微控制器被配置為控制所述激光二極管的輸出功率。

2.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，所述光學收發器還包括電壓調節器，所述電壓調節器被配置為能夠在1.2V和3.3V之間的范圍工作。

3.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，還包括單端放大器鏈。

4.根據權利要求3所述的低功率光學收發器，其中，所述單端放大器鏈包括差分輸出端的末級。

5.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，待發射的所述信號被配置為控制通過激光調制場效應晶體管(FET)的電流。

6.根據權利要求5所述的低功率光學收發器，其中，所述微控制器還被配置為監測所述激光調制FET的溫度，并基于所述溫度調節通過所述激光調制FET的電流。

7.根據權利要求5所述的低功率光學收發器，其中，所述FET包括偽晶高電子遷移率晶體管和SeGe晶體管中的一種。

8.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，所述微控制器被配置為接收所述激光二極管的特征數據，并且被配置為基于所述特征數據調節所述激光二極管的至少一個工作參數。

9.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，所述接收器的輸出端包括差分輸出級，所述差分輸出級包括第一輸出和第二輸出，所述第一輸出連接到輸出晶體管的第一端子，所述第二輸出連接到所述輸出晶體管的第二端子。

10.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，所述微控制器被配置為監測與所述光學接收器的光電檢測器相關聯的電流，并且當所述電流低于閾值時選擇性地生成靜噪功能，所述靜噪功能能夠操作以選擇性地禁用所述光學接收器。

11.根據權利要求10所述的低功率光學收發器，其中，所述接收器還包括與所述光電檢測器相關聯的電流監測器；并且

其中，所述微控制器還被配置為生成所述電流監測器的多個樣本，并且當所述多個樣本指示所述電流低于所述閾值時，選擇性地生成所述靜噪功能。

12.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，對于10Base-FL光學協議，所述收發器被配置為在200兆比特每秒每瓦特(Mbps/W)和100Mbps/W之間實現。

13.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，對于100Base-FL光學協議，所述收發器被配置為在2,000兆比特每秒每瓦特(Mbps/W)和606Mbps/W之間實現。

14.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，對于1000Base-FL光學協議，所述收發器被配置為在20,000兆比特每秒每瓦特(Mbps/W)和5,050Mbps/W之間實現。

15.根據權利要求1所述的低功率光學收發器，其中，所述光學接收器的放大器包括跨阻抗放大器，至少一個限制增益級跟隨所述跨阻抗放大器。