[發(fā)明專利]石膏處理裝置和石膏處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780048930.6
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109562994B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 二藤幸治;竹中彪;吉田優(yōu)
• 申請（專利權(quán)）人: 吉野石膏株式會社
• 主分類號: C04B11/036
• 分類號: C04B11/036;B01J8/38;C04B11/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種石膏處理裝置，該石膏處理裝置具有：反應(yīng)器，其包括水平截面或水平輪廓為圓形或環(huán)狀的內(nèi)壁面；石膏供給部，其向該反應(yīng)器內(nèi)的反應(yīng)區(qū)域供給石膏粉體；以及氣流供給部，其配置于所述反應(yīng)區(qū)域的底部，該氣流供給部向該反應(yīng)區(qū)域供給向上氣流，利用所述向上氣流對堆積于所述反應(yīng)區(qū)域的底部的所述石膏粉體進(jìn)行攪拌，該石膏處理裝置的特征在于，

該石膏處理裝置具有自位于所述反應(yīng)區(qū)域的中央?yún)^(qū)域的支承部起朝向所述內(nèi)壁面延伸的多個固定葉片，

該固定葉片在所述反應(yīng)區(qū)域的周向上隔開角度間隔地排列，

對于所述固定葉片的下部外端和下部內(nèi)端的以所述反應(yīng)器或反應(yīng)區(qū)域的中心軸線為中心的角度位置，位于所述向上氣流的偏轉(zhuǎn)方向的后方的所述固定葉片的下部外端定位在比位于所述向上氣流的偏轉(zhuǎn)方向的前方的所述固定葉片的下部內(nèi)端靠偏轉(zhuǎn)方向前方的角度位置，或者，支承于所述支承部的所述固定葉片的基端部在俯視時與相鄰的所述固定葉片的基端部相互重疊，使相鄰的所述固定葉片的重疊區(qū)域(η)形成在所述支承部周圍，

所述固定葉片配置在至少局部埋沒在堆積于所述反應(yīng)區(qū)域的所述石膏粉體的堆積層的高度位置，相鄰的所述固定葉片形成供所述氣流和所述石膏粉體流動的流動路徑，該流動路徑以使流入到所述反應(yīng)區(qū)域的所述向上氣流向該反應(yīng)區(qū)域的徑向外側(cè)且沿周向偏轉(zhuǎn)的方式傾斜，該流動路徑使與所述向上氣流一起向上方流動的所述石膏粉體沿周向且向徑向外側(cè)偏轉(zhuǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石膏處理裝置，其特征在于，

相鄰的所述固定葉片形成朝向所述反應(yīng)區(qū)域的外周區(qū)域開放且相對于鉛垂方向整體傾斜地沿上下方向延伸并向上方開放的所述流動路徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石膏處理裝置，其特征在于，

所述角度間隔設(shè)定為10度～60度的范圍內(nèi)的角度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石膏處理裝置，其特征在于，

所述固定葉片由形成彎曲的所述流動路徑的彎曲板形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石膏處理裝置，其特征在于，

所述反應(yīng)器具有形成所述反應(yīng)區(qū)域的底面的隔壁，在壓力作用下被供給有用于形成所述向上氣流的氣體的充氣室形成在所述隔壁與所述反應(yīng)器的底壁之間，所述隔壁具有將被供給至所述充氣室的所述氣體的動壓至少部分地轉(zhuǎn)化為靜壓的通氣阻力，且具有同所述反應(yīng)區(qū)域的氣壓與所述充氣室的氣壓之間的壓力差相應(yīng)地使該充氣室的氣體流入所述反應(yīng)區(qū)域的透氣性。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石膏處理裝置，其特征在于，

所述充氣室被劃分壁分割為多個充氣室部分，在各充氣室部分分別配設(shè)有所述向上氣流的供給部，所述充氣室部分使所述向上氣流選擇性地流入所述反應(yīng)區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石膏處理裝置，其特征在于，

所述固定葉片的下緣部在俯視時彎曲，所述下緣部的外端部與所述反應(yīng)器的構(gòu)成所述內(nèi)壁面的周壁隔開預(yù)定的水平距離(dc)地分開，所述水平距離(dc)相對于所述周壁的內(nèi)徑(da)設(shè)定為該內(nèi)徑(da)×0.2～(da)×0.05的范圍內(nèi)的尺寸。

8.一種石膏處理方法，其使用權(quán)利要求1至7中任一項所記載的石膏處理裝置，該石膏處理方法的特征在于，

利用所述固定葉片將自所述反應(yīng)區(qū)域的底部流入到所述反應(yīng)區(qū)域的向上氣流向所述反應(yīng)區(qū)域的徑向外側(cè)且沿周向引導(dǎo)，利用該向上氣流的偏轉(zhuǎn)使所述石膏粉體向所述反應(yīng)區(qū)域的徑向外側(cè)且沿周向流動，由此，對所述石膏粉體沿容器主體的周向施力，或者，助力在所述內(nèi)壁面的附近產(chǎn)生的所述石膏粉體沿周向的運(yùn)動。

9.一種石膏處理方法，其使用權(quán)利要求1至7中任一項所記載的石膏處理裝置，該石膏處理方法的特征在于，

將構(gòu)成所述石膏供給部的石膏供給路徑連接于石膏煅燒裝置或石膏煅燒爐，將由該石膏煅燒裝置或石膏煅燒爐煅燒后的熟石膏向所述反應(yīng)區(qū)域供給，并對該熟石膏進(jìn)行改性處理或均質(zhì)化處理。