[發(fā)明專利]馬達(dá)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780048890.5 | 申請日： | 2017-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN109565232B | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 牧野祐輔 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本電產(chǎn)株式會社 |
| 主分類號： | H02K29/08 | 分類號： | H02K29/08 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帥;黃綸偉 |
| 地址： | 日本京都*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 馬達(dá) | ||
馬達(dá)具有：軸，其以沿著上下方向的中心軸線為中心；軸承機構(gòu)，其將所述軸支承為能夠旋轉(zhuǎn)；電樞，其位于所述軸承機構(gòu)的徑向外側(cè)；托架，其固定有所述軸承機構(gòu)和所述電樞；有蓋圓筒狀的轉(zhuǎn)子，其與所述軸連接；以及電路板，其安裝有霍爾元件。所述轉(zhuǎn)子具有在所述電樞的徑向外側(cè)與所述電樞在徑向上對置的轉(zhuǎn)子磁鐵。所述托架具有：圓筒部，其在外周面上固定有所述電樞；托架底部，其從所述圓筒部的下端部向徑向外側(cè)延伸；托架側(cè)壁部，其從所述托架底部的外周部向上方延伸；以及基板保持部，其與所述托架側(cè)壁部連接。所述電路板被所述基板保持部保持。所述霍爾元件被所述托架側(cè)壁部保持。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及馬達(dá)。
背景技術(shù)
以往，在馬達(dá)中，為了對轉(zhuǎn)子磁鐵的磁極的周向上的位置進(jìn)行檢測，有時設(shè)置有霍爾元件等磁傳感器。例如在日本公開公報第2016-077074號公報所公開的旋轉(zhuǎn)電機1中，第1霍爾IC 50a～第4霍爾IC 50d在定子鐵芯2A的徑向外側(cè)端配置于齒部2B之間的缺口部7。第1霍爾IC 50a～第4霍爾IC 50d表面安裝于第1電路板55A～第3電路板55C。第1電路板55A～第3電路板55C收納于傳感器保持架70內(nèi)，傳感器保持架70安裝于齒部2B。
另外，在日本公開公報第2014-068420號公報所公開的啟動發(fā)電機中，對轉(zhuǎn)子磁鐵4的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行檢測的磁傳感器14a～14d配置于在上下方向上與定子20的發(fā)電線圈23重疊的位置。磁傳感器14a～14d和電路板12收納于傳感器殼體11內(nèi)。傳感器殼體11借助設(shè)置有固定用孔的安裝部13而固定于定子鐵芯22。
但是，在日本公開公報第2016-077074號公報的旋轉(zhuǎn)電機1中，傳感器保持架70相對于定子鐵芯2A的安裝誤差、第1電路板55A～第3電路板55C相對于傳感器保持架70的安裝誤差以及第1霍爾IC 50a～第4霍爾IC 50d相對于第1電路板55A～第3電路板55C的安裝誤差重疊，從而有可能降低轉(zhuǎn)子4的磁鐵16的位置檢測精度。另外，第1霍爾IC 50a～第4霍爾IC 50d配置于齒部2B之間，因此由于從線圈10等輻射的磁噪音的影響，也有可能降低第1霍爾IC 50a～第4霍爾IC 50d的檢測精度，降低磁鐵16的位置檢測精度。
在日本公開公報第2014-068420號公報的啟動發(fā)電機中，傳感器殼體11相對于定子20的安裝誤差以及磁傳感器14a～14d相對于傳感器殼體11的安裝誤差重疊，從而有可能降低轉(zhuǎn)子磁鐵4的位置檢測精度。另外，磁傳感器14a～14d與發(fā)電線圈23在上下方向上重疊，因此由于從發(fā)電線圈23等輻射的磁噪音的影響，也有可能降低磁傳感器14a～14d的檢測精度，降低轉(zhuǎn)子磁鐵4的位置檢測精度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提高基于霍爾元件的轉(zhuǎn)子磁鐵的位置檢測的精度。
在本發(fā)明的例示的實施方式中，馬達(dá)具有：軸，其以沿著上下方向的中心軸線為中心；軸承機構(gòu)，其將所述軸支承為能夠旋轉(zhuǎn)；電樞，其位于所述軸承機構(gòu)的徑向外側(cè)；托架，其固定有所述軸承機構(gòu)和所述電樞；有蓋圓筒狀的轉(zhuǎn)子，其與所述軸連接；以及電路板，其安裝有霍爾元件。所述轉(zhuǎn)子具有在所述電樞的徑向外側(cè)與所述電樞在徑向上對置的轉(zhuǎn)子磁鐵。所述托架具有：圓筒部，其在外周面上固定有所述電樞；托架底部，其從所述圓筒部的下端部向徑向外側(cè)延伸；托架側(cè)壁部，其從所述托架底部的外周部向上方延伸；以及基板保持部，其與所述托架側(cè)壁部連接。所述電路板被所述基板保持部保持。所述霍爾元件被所述托架側(cè)壁部保持。
在本發(fā)明中，能夠提高基于霍爾元件的轉(zhuǎn)子磁鐵的位置檢測的精度。
由以下的本發(fā)明優(yōu)選實施方式的詳細(xì)說明，參照附圖，可以更清楚地理解本發(fā)明的上述及其他特征、要素、步驟、特點和優(yōu)點。
附圖說明
圖1是一個實施方式的馬達(dá)的立體圖。
圖2是馬達(dá)的立體圖。
圖3是馬達(dá)的立體圖。
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