[發明專利]發光元件

在審

• 申請號: 201780048307.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109564958A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 金智惠;金京完;金藝瑟
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;孫昌浩

1.一種發光元件，其中，包括：

氮化物基半導體疊層，包含第一導電型半導體層、第二導電型半導體層及位于所述第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的活性層，且包含通過貫穿所述第二導電型半導體層和活性層而使所述第一導電型半導體層暴露的暴露區域；

第一連接焊盤，通過所述暴露區域而電連接于所述第一導電型半導體層；

第一電流阻斷層，夾設于所述第一導電型半導體層與所述第一連接焊盤之間；

第二連接焊盤，布置于所述第二導電型半導體層上；以及

上部延伸部，從所述第二連接焊盤延伸，

其中，所述上部延伸部為兩個以上，所述第一連接焊盤位于所述上部延伸部之間，

所述第一電流阻斷層在所述第一導電型半導體層與所述第一連接焊盤之間的區域中限于局部區域而被夾設。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述第一電流阻斷層的區域不超過所述第一導電型半導體層與所述第一連接焊盤之間的區域的90％。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述第一電流阻斷層包括SiO₂層或分布式布拉格反射層。

4.如權利要求3所述的發光元件，其中，

所述分布式布拉格反射層具有如下的結構：

SiO₂層與TiO₂層或者SiO₂層與Nb₂O₅層交替層疊的結構。

5.如權利要求1所述的發光元件，其中，所述第一電流阻斷層的形狀相同于所述第一連接焊盤的形狀。

6.如權利要求1所述的發光元件，其中，還包括：

第二電流阻斷層，布置于所述第二連接焊盤的下部及多個所述上部延伸部的下部。

7.如權利要求1所述的發光元件，其中，還包括：

下部延伸部，從所述第一連接焊盤延伸，并接觸于所述第一導電型半導體層。

8.如權利要求1所述的發光元件，其中，還包括：

歐姆電極層，位于所述第二導電型半導體層上，并歐姆接觸于所述第二導電型半導體層。

9.如權利要求1所述的發光元件，其中，還包括：

絕緣層，覆蓋通過所述暴露區域而暴露的氮化物基半導體疊層。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中，所述發光元件具有包含多個側面的多邊形的平面形狀，所述第一連接焊盤從所述發光元件的一個側面相隔而布置。

11.如權利要求10所述的發光元件，其中，

所述上部延伸部延伸至所述發光元件的一個側面與所述第一連接焊盤之間的區域。

12.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述氮化物基半導體疊層包括多個暴露區域，所述暴露區域包括：

第一暴露區域，包含至少一個第一孔和至少一個第二孔；以及

第二暴露區域，包含至少一個第三孔。

13.如權利要求12所述的發光元件，其中，

所述至少一個第一孔和至少一個第二孔具有圓形或多邊形的平面形狀，所述至少一個第三孔具有從所述至少一個第二孔朝向任意的方向延伸的形狀。

14.如權利要求13所述的發光元件，其中，

所述第一連接焊盤通過所述第一暴露區域而與所述第一導電型半導體層相接，所述下部延伸部通過所述第二暴露區域而與所述第二導電型半導體層相接。