[發(fā)明專利]高溫等離子體中的低磁場和零點(diǎn)磁場的非微擾測量在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780048243.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109478428A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D.K.古普塔;R.伊格納茨;K.H.諾爾西克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 阿爾法能源技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào): | G21B1/05 | 分類號(hào): | G21B1/05;H05H1/11 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周學(xué)斌;陳嵐 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高溫等離子體 低磁場 微擾 磁場 測量 | ||
便于高溫等離子體中的低磁場和零點(diǎn)磁場的非微擾測量的系統(tǒng)和方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本文中描述的主題一般涉及磁診斷,并且更特別地涉及便于高溫等離子體中的低磁場和零點(diǎn)(null)磁場的非微擾測量的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)
高溫等離子體對(duì)實(shí)現(xiàn)核聚變,以及因此生成聚變能是至關(guān)重要的(高溫被定義為大于100 eV或一(1)百萬度的離子溫度;等離子體被定義為由正離子、自由電子和中性粒子按比例組成的電離氣體,該比例通常在非常高的溫度(例如,在恒星和核聚變反應(yīng)堆中)和/或低壓力(例如,在上層大氣和熒光燈中)下導(dǎo)致或多或少地沒有整體電荷)。在不損壞材料本身并且不使等離子體的質(zhì)量(包括溫度本身)嚴(yán)重退化的情況下,高溫阻止了用以約束或甚至探測這樣的等離子體的任何(人造或天然的)固體材料的物理接觸。通常使用由外部磁場線圈和在等離子體中流動(dòng)的電流的組合所創(chuàng)建的磁場構(gòu)型(configuration)來約束高溫等離子體。磁約束使高溫等離子體遠(yuǎn)離器壁。這對(duì)使高溫等離子體的污染和聚變質(zhì)量的退化最小化而言是至關(guān)重要的。在等離子體中流動(dòng)的電流生成磁場,因此等離子體內(nèi)部的凈磁場幅度和方向可以與沒有等離子體的磁場(僅由于外部線圈,被稱作真空?qǐng)觯╋@著不同。聚變級(jí)高溫等離子體中的內(nèi)部磁場的測量不僅提供有關(guān)等離子體約束和質(zhì)量的有價(jià)值的信息,而且還可以被用作主動(dòng)反饋控制的輸入,從而快速地調(diào)整由外部場線圈所生成的磁場,以用于控制等離子體的方位和不穩(wěn)定性。
高溫還對(duì)在等離子體內(nèi)部進(jìn)行實(shí)驗(yàn)式地診斷(例如,局部磁場的測量)提出了挑戰(zhàn),因?yàn)閷⑷魏喂腆w探針插入到等離子體中不僅會(huì)導(dǎo)致探針受損,而且還將會(huì)使等離子體退化。這些等離子體中的診斷需要是非微擾的。結(jié)果,基于光的屬性中的改變的診斷技術(shù)在實(shí)驗(yàn)等離子體物理學(xué)中很流行,該光由等離子體本身發(fā)射或者在等離子體中注入(例如,激光)。
在等離子體物理學(xué)中,通常將量beta(β)定義為等離子體熱壓力與磁壓力的比率,從而表示由于溫度和磁場所引起的力的平衡。低β(β~0.1)高溫等離子體設(shè)備(比如托卡馬克(Tokamaks)和仿星器(Stellarator))在高磁場(~104高斯)下操作。在這些設(shè)備中,內(nèi)部磁場典型地為千高斯或更高的數(shù)量級(jí),并且因此使用基于例如塞曼效應(yīng)、法拉第旋轉(zhuǎn)、運(yùn)動(dòng)斯塔克效應(yīng)等等的物理原理的診斷方法。對(duì)于這些診斷,信號(hào)與磁場強(qiáng)度成比例,并且因此與低場相比,更容易測量高場。
用于聚變等離子體的另一流行方法是使用高β等離子體,其中等離子體壓力與磁壓力的比率接近一(β~1),例如,反場構(gòu)型(FRC)等離子體和磁會(huì)切(Magnetic-Cusps)等離子體。在高β等離子體構(gòu)型中,磁場強(qiáng)度為低(?幾百高斯)并且在等離子體內(nèi)部變?yōu)榱恪R虼耍瑢?duì)于這樣的低β等離子體,上文提到的診斷方法提供有限的信息或不能提供信息。一些研究人員已經(jīng)提出,要推進(jìn)這些診斷技術(shù)的物理學(xué)和技術(shù)的限制,只能取得有限的成功。仍然缺失可靠且經(jīng)證明的系統(tǒng)和方法來測量高β高溫等離子體中的零點(diǎn)位置、場反轉(zhuǎn)或低磁場。
由于顯著降低了磁場的要求,高β等離子體提供了經(jīng)濟(jì)上有吸引力的聚變方法。高溫先進(jìn)的射束驅(qū)動(dòng)FRC等離子體的出現(xiàn)和最近突破(參見例如,WO2013/074666和WO2015/048092)使得該方法更具吸引力。它還再次強(qiáng)調(diào)了對(duì)FRC等離子體(以及其他高β等離子體)的內(nèi)部磁場診斷的需要,該需要可擴(kuò)展到聚變參數(shù)。
因此,提供便于高溫等離子體中的低磁場和零點(diǎn)磁場的非微擾測量的系統(tǒng)和方法是合期望的。
發(fā)明內(nèi)容
本文中提供的各種實(shí)施例一般涉及便于高溫等離子體中的低磁場和零點(diǎn)磁場的非微擾測量的系統(tǒng)和方法。本文中呈現(xiàn)示例性診斷技術(shù)來測量高溫等離子體中的低磁場,包括FRC和磁會(huì)切磁場構(gòu)型。這種非微擾技術(shù)能夠測量場反轉(zhuǎn)、磁場幅度、空間分布和方向,而且還有零磁場(零點(diǎn))方位及其形狀。磁場的實(shí)時(shí)測量可以被用于FRC方位和不穩(wěn)定性的主動(dòng)反饋控制。
根據(jù)對(duì)以下附圖和詳細(xì)描述的研究,示例實(shí)施例的其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的或者將變得顯而易見。
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