[發明專利]交換耦合膜以及使用該交換耦合膜的磁阻效應元件及磁檢測裝置

有效

• 申請號: 201780048184.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109716548B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 齊藤正路;小池文人;遠藤廣明
• 申請（專利權）人: 阿爾卑斯阿爾派株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種交換耦合膜，

層疊反鐵磁性層和固定磁性層而成，

上述反鐵磁性層由PtCr層和XMn層構成，其中，X是Pt或Ir，

上述XMn層與上述固定磁性層接觸，

該交換耦合膜的特征在于，

在上述XMn層層疊于上述PtCr層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為44at％以上58at％以下，

在上述XMn層層疊于上述固定磁性層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為44at％以上57at％以下。

2.如權利要求1所述的交換耦合膜，

上述固定磁性層，是層疊有第1磁性層和中間層和第2磁性層的自釘扎層。

3.如權利要求1或2所述的交換耦合膜，

上述PtCr層的膜厚比上述XMn層的膜厚大。

4.如權利要求3所述的交換耦合膜，

上述PtCr層的膜厚與上述XMn層的膜厚之比是5：1～100：1。

5.如權利要求1所述的交換耦合膜，

在上述XMn層層疊于上述PtCr層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為45at％以上57at％以下，

在上述XMn層層疊于上述固定磁性層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為45at％以上56at％以下。

6.如權利要求1所述的交換耦合膜，

在上述XMn層層疊于上述PtCr層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為48at％以上55at％以下，

在上述XMn層層疊于上述固定磁性層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為47at％以上55at％以下。

7.如權利要求1所述的交換耦合膜，

具備與上述反鐵磁性層鄰接的基底層，

上述基底層是NiFeCr。

8.一種磁阻效應元件，層疊交換耦合膜和自由磁性層而成，該交換耦合膜，層疊反鐵磁性層和固定磁性層而成，上述反鐵磁性層由PtCr層和XMn層構成，其中，X是Pt或Ir，上述XMn層與上述固定磁性層接觸，

該磁阻效應元件的特征在于，

在上述XMn層層疊于上述PtCr層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為44at％以上58at％以下，

在上述XMn層層疊于上述固定磁性層的情況下，上述PtCr層為Pt_αCr_{100at％－α}，α為44at％以上57at％以下。

9.如權利要求8所述的磁阻效應元件，

上述固定磁性層，是層疊有第1磁性層和中間層和第2磁性層的自釘扎層。

10.如權利要求8或9所述的磁阻效應元件，

上述PtCr層的膜厚比上述XMn層的膜厚大。

11.如權利要求10所述的磁阻效應元件，

上述PtCr層的膜厚與上述XMn層的膜厚之比是5：1～100：1。