[發明專利]CMP用研磨液和研磨方法

在審

• 申請號: 201780048056.6
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN109690741A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 井上惠介;近藤俊輔;大塚祐哉
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 杜娟

1.一種研磨液，其為用于研磨至少包含阻擋金屬、金屬膜和二氧化硅膜的基板或至少包含阻擋金屬、金屬膜、二氧化硅膜和low-k膜的基板的CMP用研磨液，其特征在于，

所述研磨液含有研磨粒子、氧化金屬溶解劑、氧化劑、水溶性高分子和堿金屬離子，

研磨時的所述研磨粒子和所述金屬膜的表面電位為相同符號，所述研磨粒子的表面電位(mV)和所述金屬膜的表面電位(mV)的乘積為250～10000，

所述研磨液的pH為7.0～11.0。

2.根據權利要求1所述的研磨液，其中，所述研磨粒子形成締合粒子，所述締合粒子的平均二次粒徑為120nm以下。

3.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述研磨粒子的含量為1～20質量％。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的研磨液，其中，所述研磨粒子包含二氧化硅粒子。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的研磨液，其中，所述氧化金屬溶解劑包含選自檸檬酸、丙二酸、二甘醇酸、間苯二甲酸和甲基琥珀酸中的至少1種。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的研磨液，其中，所述水溶性高分子具有下述通式(1)的結構，

RO-X_n-Y_m-H(1)

式中，R表示碳數為6個以上的烷基、鏈烯基、苯基、多環苯基、烷基苯基或鏈烯基苯基，X和Y分別表示側鏈具有取代基或不具有取代基的氧化乙烯基和氧化丙烯基，此外，n和m分別表示0以上的整數，n+m為4以上的整數。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的研磨液，其中，所述堿金屬離子為鉀離子。

8.一種研磨方法，其具備下述工序：在向研磨平臺的研磨布上供給權利要求1～7中任一項所述的CMP用研磨液的同時，在將至少包含阻擋金屬、金屬膜和二氧化硅膜的基板或至少包含阻擋金屬、金屬膜、二氧化硅膜和low-k膜的基板按壓于所述研磨布的狀態下使所述研磨平臺和所述基板相對移動。