[發明專利]提供旁路寄生阻抗的匹配電路的系統和方法

在審

• 申請號: 201780047656.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109804558A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 席天佐;康海川;陳振崎;羅鎮應;張向東;王新偉;孫彥杰;Y·K·G·候;陳京華
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F3/193;H03F3/195
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;郭星

1.一種電路，包括：

射頻(RF)放大器，包括：晶體管，被配置為在其控制端子處接收RF信號；電容器，被耦合至所述晶體管的第一端子；電感器，被耦合至所述晶體管的第二端子，其中所述電容器和所述電感器形成從所述第一端子到所述第二端子的回路，其中所述回路旁路所述第二端子與地之間的寄生電感。

2.根據權利要求1所述的電路，其中所述晶體管和所述電容器被實施在同一半導體管芯上。

3.根據權利要求1所述的電路，其中所述電感器包括在半導體管芯上的管芯上接合線耦合焊盤，所述半導體管芯包括所述晶體管和所述電容器。

4.根據權利要求3所述的電路，其中所述半導體管芯包括GaAs管芯。

5.根據權利要求1所述的電路，其中所述電容器相對于所述RF信號的電壓是浮動的。

6.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二端子與所述地之間的所述寄生電感與過孔相關聯。

7.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

半導體管芯，所述晶體管和所述電容器被形成在所述半導體管芯上，其中所述半導體管芯包括與所述晶體管的所述第二端子耦合的背過孔；以及

印刷電路板，所述半導體管芯被安裝在所述印刷電路板上，其中所述印刷電路板包括被與所述背過孔和接地平面耦合的過孔，進一步其中所述寄生電感與所述背過孔和所述過孔相關聯。

8.根據權利要求1所述的電路，其中所述晶體管包括異質結雙極性晶體管(HBT)。

9.根據權利要求1所述的電路，進一步包括天線，被耦合至在所述電容器與所述電感器之間的節點，其中所述天線被配置為接收由所述晶體管放大的所述RF信號。

10.根據權利要求9所述的電路，其中包括所述電容器和所述電感器的所述回路是被匹配至所述天線的阻抗。

11.一種射頻(RF)放大器電路，包括：

半導體管芯，具有被形成在其中的晶體管，所述晶體管包括被配置為接收RF信號的控制端子，所述晶體管進一步包括被與電源耦合的第一端子和被與接地平面耦合的第二端子；

印刷電路板(PCB)，所述半導體管芯被安裝在所述印刷電路板上，其中所述PCB包括所述接地平面和將所述接地平面耦合至第二過孔的第一過孔，所述第二過孔被耦合至所述晶體管的所述第二端子；以及

電容器和電感器，被耦合在所述晶體管的所述第一端子與所述晶體管的所述第二端子之間以形成回路，所述回路終止在所述第二端子與所述第二過孔之間的節點處，所述電容器和所述電感器匹配所述放大器電路的負載的阻抗。

12.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述負載包括被與在所述電容器與所述電感器之間的節點耦合的天線。

13.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述半導體管芯包括GaAs管芯。

14.根據權利要求13所述的RF放大器電路，其中所述晶體管包括異質結雙極性晶體管。

15.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述電容器被形成在所述半導體管芯上。

16.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述電感器包括管芯上接合線。

17.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述電容器相對于所述RF信號的電壓浮動。

18.根據權利要求11所述的RF放大器電路，其中所述第二過孔包括所述半導體管芯的背過孔。