[發明專利]等離子體蝕刻方法有效
| 申請號： | 201780047429.8 | 申請日： | 2017-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN109564868B | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發明（設計）人： | 櫻井隆覺;乾?？?/a> | 申請（專利權）人： | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 趙曦;劉繼富 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體蝕刻方法，其為對氧化硅膜和氮化硅膜層疊而成的多層層疊體進行蝕刻的等離子體蝕刻方法，包含：
并用作為2-溴-3,3,3-三氟丙烯、(Z)-1-溴-3,3,3-三氟丙烯、(E)-1-溴-3,3,3-三氟丙烯和/或3-溴-2,3,3-三氟丙烯的能夠由組成式C3H2BrF3表示的含溴的碳氟化合物的氣體和不含溴的碳氟化合物的氣體，對所述氧化硅膜和所述氮化硅膜進行等離子體蝕刻的蝕刻工序。
2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，所述蝕刻工序中的所述不含溴的碳氟化合物的氣體與所述含溴的碳氟化合物的氣體的容量比小于2.5。
3.根據權利要求1或2中所述的等離子體蝕刻方法，其中，所述含溴的碳氟化合物的氣體包含2-溴-3,3,3-三氟丙烯氣體。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
