[發明專利]復合膜、包括其的裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 201780047306.4
• 申請日: 2017-08-18
• 公開（公告）號: CN109564360A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 胡曉;李慶揚
• 申請（專利權）人: 南洋理工大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;B82Y30/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種復合膜，包括：

基質；和

一個或多個納米結構，其包括將輻射能轉換成熱能的金屬氧化物半導體；

其中所述基質具有可基于由所述基質從所述金屬氧化物半導體接收的熱能而變化的性質。

2.根據權利要求1所述的復合膜，其中所述基質基于所述基質從所述金屬氧化物半導體接收的熱能發生相變。

3.根據權利要求1或2所述的復合膜，其中所述基質是熱致型的、熱致變色型的或熱機械型的。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的復合膜，其中所述一個或多個納米結構嵌入所述基質中。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的復合膜，其中將所述一個或多個納米結構涂覆或層壓到所述基質上。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的復合膜，其中所述金屬氧化物半導體選自摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅、摻銦氧化錫、摻銻氧化錫、摻氟氧化錫、摻銦氧化鋅、還原氧化鎢、低氧化鎢、六方鎢青銅氧化物及其組合。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的復合膜，其中所述基質包括選自聚合物、金屬化合物、金屬合金、離子液體和液晶中的材料。

8.根據權利要求7所述的復合膜，其中所述聚合物是水凝膠。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的復合膜，其中所述金屬氧化物半導體轉換紅外區域中的電磁波的輻射能量。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的復合膜，其中所述金屬氧化物半導體轉換紫外區域中的電磁波的輻射能量。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的復合膜，其中所述金屬氧化物半導體基于局部表面等離子體共振效應將輻射能轉換成熱能。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的復合膜，其中所述一個或多個納米結構是納米顆粒。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的復合膜，其中所述復合膜允許至少一些可見光通過。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的復合膜，其中所述復合膜包含聚(N-異丙基丙烯酰胺)水凝膠和10at％摻雜的摻銻氧化錫。

15.一種裝置，包括根據權利要求1至14中任一項所述的復合膜。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述裝置是選自靈巧窗、熱致變色裝置和形狀記憶裝置中的任意一種。

17.一種復合膜的形成方法，包括：

形成基質；和

形成一個或多個納米結構，其包括將輻射能轉換成熱能的金屬氧化物半導體；

其中所述基質具有可基于由所述基質從所述金屬氧化物半導體接收的熱能而變化的性質。

18.根據權利要求17所述的方法，還包括：將所述一個或多個納米結構分散在所述基質中。

19.根據權利要求17所述的方法，還包括：將所述一個或多個納米結構涂覆或層壓到所述基質上。

20.根據權利要求17至19中任一項所述的方法，其中所述基質包括選自聚合物、金屬化合物、金屬合金、離子液體和液晶中的材料。

21.根據權利要求20所述的方法，其中所述聚合物通過自由基聚合形成。