[發明專利]Cu-Ga濺射靶及Cu-Ga濺射靶的制造方法

在審

• 申請號: 201780046274.6
• 申請日: 2017-07-19
• 公開（公告）號: CN109563614A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 梅本啟太;井尾謙介;張守斌;鹽野一郎
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F1/00;C22C1/04;C22C9/00;C22C28/00;C22C30/02;H01L31/0749;H01L31/18
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種Cu-Ga濺射靶，其特征在于，

作為金屬成分具有如下組成：含有5原子％以上且60原子％以下范圍的Ga，進一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范圍的選自K、Rb及Cs中的至少一種添加元素，并且余量由Cu及不可避免的雜質構成，

所述添加元素的全部或一部分以含有選自F、Cl、Br及I中的至少一種鹵素的鹵化物粒子的狀態存在，

所述鹵化物粒子的最大粒徑為15μm以下，

氧濃度為1000質量ppm以下。

2.根據權利要求1所述的Cu-Ga濺射靶，其特征在于，

所述添加元素的含量偏差為0.05質量％以下。

3.根據權利要求1或2所述的Cu-Ga濺射靶，其特征在于，

進一步含有0.01原子％以上10原子％以下范圍的Na，

所述Na以含有選自F、Cl、Br、I、S及Se中的至少一種元素的Na化合物粒子的狀態存在。

4.一種Cu-Ga濺射靶的制造方法，其特征在于，其用于制造權利要求1所述的Cu-Ga濺射靶，該Cu-Ga濺射靶的制造方法具備：

Cu-鹵化物混合粉末制作工序，將鹵化物粉末及Cu粉末以所述鹵化物粉末的含量成為10質量％以下的混合比率進行粉碎混合，從而制作出所述鹵化物粉末的最大粒徑為15μm以下的Cu-鹵化物混合粉末，所述鹵化物粉末含有選自F、Cl、Br及I中的至少一種鹵素和選自K、Rb及Cs中的至少一種添加元素且平均粒徑為15μm以上，所述Cu粉末的平均粒徑比所述鹵化物粉末小且比表面積為0.15m²/g以上；

混合工序，將所述Cu-鹵化物混合粉末與Cu-Ga合金粉末進行混合來獲得原料混合粉末；

填充工序，將所述原料混合粉末填充于模具中；及

燒結工序，將填充于所述模具中的所述原料混合粉末進行燒結來獲得燒結體，

在露點為-20℃以下且比-50℃高的氣體氣氛下實施所述Cu-鹵化物混合粉末制作工序及所述混合工序。