[發(fā)明專利]量測(cè)方法和設(shè)備、計(jì)算機(jī)程序和光刻系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780046063.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN109564393B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·希尤維斯;H·A·J·克瑞姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王靜

1.一種重建通過半導(dǎo)體制造過程形成在襯底上的結(jié)構(gòu)的特性的方法，包括：

a)將與所述半導(dǎo)體制造過程相關(guān)的第一參數(shù)的測(cè)量值組合，以獲得所述第一參數(shù)的估計(jì)值，其中所述第一參數(shù)與在所述半導(dǎo)體制造過程期間形成的第一層相關(guān)；和

b)使用所述第一參數(shù)的所述估計(jì)值和所述結(jié)構(gòu)的測(cè)量值重建與所述結(jié)構(gòu)的所述特性相關(guān)的至少第二參數(shù)，其中所述第二參數(shù)與在所述半導(dǎo)體制造過程期間形成的第二層相關(guān)，所述第二層在所述第一層之后形成；其中：步驟a)包括對(duì)所述第一參數(shù)的變化建模以獲得參數(shù)模型并使用所述參數(shù)模型來估計(jì)所述第一參數(shù)的值，其中所述參數(shù)模型描述至少所述第一參數(shù)隨著所述襯底的表面上的部位的變化。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟a)包括為不同的生產(chǎn)情境分別對(duì)所述變化建模，以獲得每種生產(chǎn)情境的參數(shù)模型。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用對(duì)于相同襯底和/或相同生產(chǎn)運(yùn)行的后續(xù)襯底的后續(xù)測(cè)量來更新所述參數(shù)模型。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，用于為每個(gè)批次重建所述第二參數(shù)的所述第一參數(shù)的所述估計(jì)值根據(jù)生產(chǎn)運(yùn)行的所述參數(shù)模型的最終更新來確定。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，包括優(yōu)化采樣方案的步驟，所述采樣方案在所述第一層的后續(xù)測(cè)量期間確定所述襯底上的一個(gè)或更多個(gè)測(cè)量部位和/或確定所述第二層上的一個(gè)或更多個(gè)測(cè)量部位。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一層和第二層的采樣方案是不同的。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，包括確定每個(gè)測(cè)量的所述測(cè)量值的方差，并根據(jù)所確定的方差來確定所述第一參數(shù)的所述估計(jì)值的不確定性值。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)第一參數(shù)包括以下中的一個(gè)或更多個(gè)：臨界尺寸、聚焦、輪廓尺寸、側(cè)壁角度或任何結(jié)構(gòu)特征的角度、重疊。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)第二參數(shù)包括以下中的一個(gè)或更多個(gè)：臨界尺寸、聚焦、輪廓尺寸、側(cè)壁角度或任何結(jié)構(gòu)特征的角度、重疊。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述重建包括基于擬合的重建過程，其中將模擬的衍射響應(yīng)與測(cè)量的衍射響應(yīng)進(jìn)行比較，并且改變至少所述第二參數(shù)的值以最小化所述模擬的衍射響應(yīng)與所述測(cè)量的衍射響應(yīng)之間的不匹配。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二參數(shù)與所述第一參數(shù)相關(guān)，并且假設(shè)第一參數(shù)在基于擬合的重建過程期間具有所述估計(jì)值。

12.一種量測(cè)設(shè)備，包括：

照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)被配置為用輻射照射在襯底上使用光刻過程所產(chǎn)生的至少一結(jié)構(gòu)；

檢測(cè)系統(tǒng)，所述檢測(cè)系統(tǒng)被配置為檢測(cè)由所述結(jié)構(gòu)的照射引起的散射輻射；和

處理器，所述處理器能夠操作以：

將與半導(dǎo)體制造過程相關(guān)的第一參數(shù)的測(cè)量值組合，以獲得所述第一參數(shù)的估計(jì)值，其中所述第一參數(shù)與在所述半導(dǎo)體制造過程期間形成的第一層相關(guān)，其中將與所述半導(dǎo)體制造過程相關(guān)的第一參數(shù)的測(cè)量值組合的步驟包括對(duì)所述第一參數(shù)的變化建模以獲得參數(shù)模型并使用所述參數(shù)模型來估計(jì)所述第一參數(shù)的值，其中所述參數(shù)模型描述至少所述第一參數(shù)隨著所述襯底的表面上的部位的變化；和

使用所述第一參數(shù)的估計(jì)值和所述結(jié)構(gòu)的測(cè)量值重建與所述結(jié)構(gòu)的特性相關(guān)的至少第二參數(shù)，其中所述第二參數(shù)與在半導(dǎo)體制造過程期間形成的第二層相關(guān)，所述第二層在所述第一層之后形成。

13.一種光刻單元，包括如權(quán)利要求12所述的量測(cè)設(shè)備。

14.一種包括處理器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，當(dāng)在適當(dāng)?shù)奶幚砥魉刂频脑O(shè)備上運(yùn)行時(shí)，所述處理器可讀指令使得處理器所控制的設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1所述的方法。