[發明專利]薄膜狀無機氧化物的制造方法有效
| 申請號: | 201780046002.6 | 申請日: | 2017-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN109476499B | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 小田齊;大西諒 | 申請(專利權)人: | 花王株式會社 |
| 主分類號: | C01G23/04 | 分類號: | C01G23/04;C01B13/36;C01G25/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;尹明花 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜狀 無機 氧化物 制造 方法 | ||
1.一種薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
具有使第一液和第二液進行接觸的步驟,
該第一液含有無機氧化物前體,所述無機氧化物前體包含金屬醇鹽,
該第二液含有與所述第一液的所述無機氧化物前體進行反應而形成由所述無機氧化物前體衍生的無機氧化物的物質即水,并且,
以連續操作進行所述步驟,
所述連續操作是指,在使第一液和第二液進行接觸的無機氧化物形成步驟中,使第一液和第二液連續或間歇地持續接觸,并持續回收作為其反應生成物的薄膜狀無機氧化物的操作,
在使所述第一液和第二液雙方流動時,所述第一液和第二液進行接觸時的所述第一液的線速度相對于所述第二液的線速度的比率為0.01以上且60以下,
且所述第一液及第二液中的至少一方含有離子性液體。
2.如權利要求1所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述薄膜狀無機氧化物的平均厚度為0.01μm以上且1.5μm以下。
3.如權利要求1所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述薄膜狀無機氧化物包含薄膜狀氧化鈦。
4.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第一液和第二液是相分離的。
5.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述離子性液體包含銨陽離子。
6.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述離子性液體是包含1-烷基-3-甲基咪唑鎓陽離子的離子性液體。
7.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述離子性液體包含1-甲基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-乙基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-丙基-3-甲基咪唑鎓陽離子、或1-丁基-3-甲基咪唑鎓陽離子。
8.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述無機氧化物前體包含鈦醇鹽或鋯醇鹽。
9.如權利要求8所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述鈦醇鹽包含正鈦酸四乙酯、正鈦酸四異丙酯或正鈦酸四正丁酯。
10.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第一液中的所述無機氧化物前體的含量為1質量%以上且80質量%以下。
11.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第一液中的所述無機氧化物前體的含量為5質量%以上且70質量%以下。
12.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第二液中的形成所述無機氧化物的物質的含量為0.1質量%以上且70質量%以下。
13.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第二液中的形成所述無機氧化物的物質的含量為0.5質量%以上且30質量%以下。
14.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第二液是在所述離子性液體中溶解有形成所述無機氧化物的物質的溶液。
15.如權利要求1~3中的任一項所述的薄膜狀無機氧化物的制造方法,其中,
所述第一液是在有機溶劑中溶解有所述無機氧化物前體的溶液。
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