[發明專利]用于分配氣體的裝置和用于處理基板的裝置

有效

• 申請號: 201780045233.5
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109478498B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 尹鎬彬;辛昇澈;劉真赫;趙炳夏
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683;H05H1/46;H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

本發明涉及用于基板處理設備的氣體噴霧器及基板處理設備，其包括：等離子體產生部，用于產生等離子體，以便在由基板支撐部支撐的基板上執行處理工藝；接地體，接地體與等離子體產生部耦接；以及等離子體屏蔽部，用于屏蔽由等離子體產生部產生的等離子體，其中，等離子體產生部包括：第一電極，用于產生等離子體；以及第二電極，第二電極在與第一電極間隔開的位置處耦接至接地體，以便在第二電極和第一電極之間的空間中形成用于噴射工藝氣體的氣體噴射空間，并且其中，等離子體屏蔽部從基板的內部和/或外部屏蔽由等離子體產生部產生的等離子體。

技術領域

本發明涉及用于基板處理裝置的氣體分配裝置和基板處理裝置，其執行諸如在基板上沉積薄膜的沉積工藝的基板處理工藝。

背景技術

通常，在用于制造太陽能電池、半導體設備、平板顯示設備等的基板上應形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案。為此，執行半導體制造工藝，并且半導體制造工藝的示例包括在基板上沉積包含特定材料的薄膜的薄膜沉積工藝、利用光敏材料選擇性地曝光薄膜的一部分的光學工藝、去除與該選擇性曝光的部分相對應的薄膜以形成圖案的蝕刻工藝等。

半導體制造工藝在基于用于相應工藝的最佳環境而設計的基板處理裝置內進行，并且最近，通過利用等離子體以執行沉積工藝或蝕刻工藝的基板處理裝置被大量使用。

基于等離子體的基板處理裝置的示例包括通過利用等離子體以形成薄膜的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)裝置、用于蝕刻并圖案化薄膜的等離子體蝕刻裝置等。

圖1是現有技術的氣體分配裝置的概念性側視圖。

參照圖1，現有技術的氣體分配裝置100包括第一電極110、接地體(ground?body)120和第二電極130。

第一電極110產生用于基板處理的等離子體。第一電極110耦接到接地體120。第二電極130耦接到接地體120。第一電極設置在第二電極130的內部。第二電極130設置成包圍第一電極110的外側，并且第一電極110被容納到內部部分中。第二電極130電接地。

因此，當向第一電極110施加等離子體電力時，可以通過在第一電極110?和第二電極130之間產生的電場在等離子體區域PA中產生等離子體。

這里，在現有技術的氣體分配裝置100中，第二電極130設置在第一電極110的內側和外側中的每一個上，因此，等離子體區域PA延伸到第一電極?110的內側和第一電極110的外側中的每一個。因此，現有技術的氣體分配裝置100存在以下問題。

首先，在現有技術的氣體分配裝置100中，由于等離子體區域PA延伸到第一電極110的內側和第一電極110的外側，因此存在等離子體區域PA中產生的等離子體密度降低的問題。

第二，在現有技術的氣體分配裝置100中，由于等離子體的密度降低，非反應工藝氣體的流速增加，因此，存在工藝氣體的消耗量增加的問題。此外，在現有技術的氣體分配裝置100中，由于非反應工藝氣體的流速增加，產生的顆粒的數量增加，并且由于這個原因，存在基板質量降低的問題。

發明內容

技術問題

本發明旨在解決上述問題，并且旨在提供用于基板處理裝置的氣體分配裝置和基板處理裝置，其能夠減小在等離子體區域中產生的等離子體密度降低的發生率，盡管等離子體區域擴大。

本發明旨在提供一種用于基板處理裝置的氣體分配裝置和基板處理裝置，其能夠防止由于非反應工藝氣體的出現而使工藝氣體的消耗量增加，并且能夠防止基板的質量因非反應工藝氣體引起的產生顆粒的量的增加而降低。

技術方案

為了解決上述問題，本發明可以包括以下元件。