[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201780044849.0
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN109564956B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 樸修益
• 申請（專利權）人: 蘇州樂琻半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/02
• 代理公司: 蘇州錦尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32502
• 代理人: 滕錦林

1.一種半導體器件，包括：

半導體結構，所述半導體結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間布置的有源層、多個第一凹部、以及第二凹部，所述多個第一凹部被布置為通過穿過所述第二導電半導體層和所述有源層直到所述第一導電半導體層的區域，所述第二凹部被布置在所述多個第一凹部之間；

多個第一電極，所述多個第一電極被布置在所述多個第一凹部內并且被電連接到所述第一導電半導體層；

多個第二電極，所述多個第二電極被電連接到所述第二導電半導體層；以及

反射層，所述反射層被布置在所述第二凹部內，

其中，所述半導體結構產生紫外波長范圍內的光；

相對于第一方向中的所述半導體結構的最大面積，所述多個第一凹部的面積與所述第二凹部的面積之和處于60％或者更少的范圍內；

所述多個第一凹部的面積和所述第二凹部的面積是在所述半導體結構的下表面上形成的面積，以及

所述第一方向是與所述半導體結構的厚度方向垂直的方向，

其中，所述第二凹部被布置為通過穿過所述第二導電半導體層和所述有源層直到所述第一 導電半導體層的區域；

所述半導體結構包括由所述第二凹部分離的多個第一區域并且所述多個第一電極被布置在所述多個第一區域中；

所述第一區域的面積是所述第一電極的面積的2.0至5.0倍。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個第二電極之間的距離處于3 μm至60 μm的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述反射層的寬度在3 μm至30 μm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個第二電極之間的距離等于所述反射層的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

相對于所述第一方向中的所述半導體結構的最大面積，所述多個第一電極電連接到所述第一導電半導體層的面積處于6.0％至11.0％的范圍內。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，相對于所述第一方向中的所述半導體結構的最大面積，所述多個第二電極電連接到所述第二導電半導體層的面積處于40％至60％的范圍內。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個第一電極電連接到所述第一導電半導體層的面積與所述多個第二電極電連接到所述第二導電半導體層的面積的比率處于1:4到1:10的范圍內。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個第一區域的面積是所述多個第一凹部的面積的2.0至5.0倍。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述反射層包括延伸部，所述延伸部從所述第二凹部延伸并且被配置成與所述第二電極接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：包覆層，所述包覆層被配置成覆蓋所述反射層和所述第二電極。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括：第二電極焊盤，所述第二電極焊盤被電連接到所述包覆層。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：下反射層，所述下反射層被電連接到所述多個第一電極。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括：襯底，所述襯底被電連接到所述下反射層。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電半導體層包括第一層和第二層，所述第一層被布置為與所述有源層相鄰，所述第二層被布置在所述第一層上；以及

所述第二層具有比所述第一層的鋁（Al）組分高的鋁組分；以及

所述第一電極被布置在所述第一層上。