[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201780044550.5
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109478521B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 藤野純司;井本裕兒;小川翔平;石原三紀夫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 金光華

1.一種半導體裝置，具備：

半導體元件，具有表面電極；

電極板，在俯視時面積大于所述半導體元件的所述表面電極，所述電極板設置有開口部，所述電極板由鋁或者鋁合金構成；以及

金屬部件，具有與所述半導體元件的所述表面電極利用接合材料來接合的接合面，在俯視時所述金屬部件的面積小于所述半導體元件的所述表面電極，所述金屬部件由與所述電極板不同的金屬構成，所述金屬部件被插入到所述開口部而緊固于所述電極板，將所述半導體元件的所述表面電極和所述電極板進行電連接，

所述金屬部件具有從所述電極板的表面突出的突出部，

所述突出部具有與所述半導體元件的所述表面電極相向的底面和設置于所述底面與所述電極板之間的側面，

所述接合面由所述底面以及所述側面構成，所述接合材料設置于所述底面以及所述側面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件僅由具有所述接合面的第1金屬層構成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件由層疊的多個金屬層構成，

所述多個金屬層包括具有所述接合面的第1金屬層以及由與所述第1金屬層不同的金屬構成的第2金屬層。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件的所述第1金屬層由銅或者銅合金構成。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件的所述第1金屬層的厚度是10μm以上。

6.根據權利要求1至5中的任意一項所述的半導體裝置，其中，

在所述金屬部件的所述接合面設置有凹部，

在所述凹部內設置有所述接合材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在俯視時，所述金屬部件的所述接合面的面積大于所述電極板的所述開口部的面積。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件是環狀的部件，通過鉚接而被插入固定到所述開口部。

9.根據權利要求1至5中的任意一項所述的半導體裝置，其中，

在所述金屬部件與所述電極板之間的至少一部分中形成有伴隨金屬擴散的接合部。

10.一種半導體裝置，具備：

半導體元件，具有表面電極；

電極板，在俯視時面積大于所述半導體元件的所述表面電極，所述電極板由鋁或者鋁合金構成；以及

金屬部件，具有與所述半導體元件的所述表面電極利用接合材料來接合的接合面，在俯視時所述金屬部件的面積小于所述半導體元件的所述表面電極，所述金屬部件由與所述電極板不同的金屬構成，所述金屬部件具有相向地設置的一對夾持部，所述金屬部件將所述半導體元件的所述表面電極和所述電極板進行電連接，

所述金屬部件具有從所述電極板的表面突出的突出部，

所述突出部具有與所述半導體元件的所述表面電極相向的底面和設置于所述底面與所述電極板之間的側面，

所述接合面由所述底面以及所述側面構成，所述接合材料設置于所述底面以及所述側面，

所述電極板被所述金屬部件的所述夾持部夾持，由此所述金屬部件被緊固于所述電極板。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，

所述金屬部件由金屬管構成，所述夾持部由所述金屬管的管壁構成。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，

所述金屬管中的與所述半導體元件的所述表面電極面對的部分的一部分具有彈簧特性。