[發明專利]半導體制造裝置用部件的制造方法和半導體制造裝置用部件

有效

• 申請號: 201780044445.1
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN109476554B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 三矢耕平;丹下秀夫;堀田元樹;小川貴道
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: C04B37/00
• 分類號: C04B37/00;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

降低接合溫度、且抑制第1陶瓷構件與第2陶瓷構件的接合強度的降低。半導體制造裝置用部件的制造方法包括如下工序：準備由以AlN為主成分的材料形成的第1陶瓷構件的工序；準備由以AlN為主成分的材料形成的第2陶瓷構件的工序；和，在第1陶瓷構件與第2陶瓷構件之間，以夾設有包含Eu₂O₃、Gd₂O₃和Al₂O₃的接合劑的狀態進行加熱加壓，從而將第1陶瓷構件與第2陶瓷構件接合的工序。

技術領域

本說明書中公開的技術涉及半導體制造裝置用部件的制造方法。

背景技術

作為半導體制造裝置用部件，使用有基座(加熱裝置)。基座例如具備：內部具有加熱器的板狀的陶瓷制的保持構件；配置于保持構件的一面側的圓筒狀的陶瓷制的支撐構件；和，配置于保持構件與支撐構件之間、且用于接合保持構件的一個面與支撐構件的一個面的接合層。在保持構件的與一個面相反側的保持面配置有晶片。對于基座，利用通過對加熱器施加電壓而產生的熱，對配置于保持面的晶片進行加熱。

保持構件和支撐構件有時由以導熱率較高的AlN(氮化鋁)為主成分的材料形成。而且，作為具備這樣的以AlN為主成分的保持構件和支撐構件的基座的制造方法，已知有如下方法：將包含Ca(鈣)的接合劑以夾設于保持構件與支撐構件之間的狀態進行加熱加壓，從而將保持構件和支撐構件接合(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-345952號公報

發明內容

發明要解決的問題

上述基座的制造方法中，可以在1600(℃)那樣的低的接合溫度下，將保持構件和支撐構件接合。然而，由于使用包含Ca的接合劑，因此，有例如包含Ca的產物以異物的形式混入晶片等的擔心。因此，已知有使用包含Gd(釓)代替Ca的接合劑的基座的制造方法，與使用包含Ca的接合劑的情況相比，接合溫度高，因此，期望進一步的改善。

需要說明的是，這樣的課題不限定于構成基座的保持構件和支撐構件的接合，例如構成靜電卡盤等保持裝置的陶瓷構件彼此的接合中也為相同的課題。另外，這樣的課題不限定于保持裝置，例如構成噴頭等半導體制造裝置用部件的陶瓷構件彼此的接合中為相同的課題。

本說明書中，公開了能解決上述課題的技術。

用于解決問題的方案

本說明書中公開的技術例如可以以以下的方式實現。