[發明專利]用于填充間隙的方法和設備

有效

• 申請號: 201780044429.2
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109478511B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: V·珀爾
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王冉

1.一種用于通過沉積方法填充在襯底上制造特征期間形成的一個或多個間隙的方法，包括：

向所述一個或多個間隙的表面的底部區域提供第一反應物；

將第二反應物提供到所述襯底；以及，

允許所述第一反應物在所述第一反應物的一個分子與所述第二反應物的多個分子的化學計量比下在所述表面的所述底部區域中起始所述第二反應物的反應，從而使所述一個或多個間隙的所述表面的未被提供所述第一反應物的頂部區域最初基本上為空。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括在提供第一和或第二反應物之后移除過量的反應物和副產物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積方法重復多次，以從所述底部區域向所述頂部區域填充所述間隙。

4.根據權利要求1所述的方法，其中與提供所述第一反應物的劑量相比，以相對大的劑量引入所述第二反應物。

5.根據權利要求1所述的方法，其中向所述一個或多個間隙的所述表面的所述底部區域提供所述第一反應物包括：

將所述第一反應物提供到所述一個或多個間隙的所述表面的所述頂部區域和所述底部區域；以及，

使所述第一反應物從所述一個或多個間隙的所述頂部區域鈍化。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在所述一個或多個間隙的所述頂部區域中鈍化所述第一反應物包括提供等離子體以在所述間隙的所述頂部區域中鈍化所述第一反應物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述等離子體包括氮等離子體。

8.根據權利要求1所述的方法，其中向所述一個或多個間隙的所述表面的所述底部區域提供所述第一反應物包括：

鈍化所述表面的所述頂部區域上的反應性位點；以及，

將所述第一反應物提供到所述表面的所述頂部區域和所述底部區域以與所述表面上的剩余活性位點反應。

9.根據權利要求8所述的方法，其中鈍化所述表面的所述頂部區域的反應性位點包括提供等離子體以鈍化來自所述頂部區域的所述活性位點。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述等離子體是氮和/或氬等離子體。

11.根據權利要求1所述的方法，其中向所述一個或多個間隙的所述表面的所述底部區域提供所述第一反應物包括：

在所述表面的所述底部區域中提供聚合物材料；

用所述第一反應物浸潤所述聚合物材料；以及

從所述底部區域移除所述聚合物材料，同時允許所述第一反應物保留。

12.根據權利要求11所述的方法，其中在所述表面的所述底部區域中提供聚合物材料包括在所述頂部區域和所述底部區域中提供聚合物材料，以及提供等離子體以從所述頂部區域移除所述聚合物材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述等離子體包括氮、氧、氫、氟和/或氬。

14.根據權利要求11所述的方法，其中從所述底部區域移除所述聚合物材料同時允許所述第一反應物保留包括使所述材料在包括大氣的氧氣中退火。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述聚合物材料包括聚酰亞胺或聚氨酸聚合物，或定向自組裝聚合物。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一反應物包含路易斯酸金屬或類金屬。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述路易斯酸金屬或類金屬選自由以下組成的群組：鋁、硼、鎂、鈧、鑭、釔、鋯或鉿。