[發(fā)明專利]基片處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780044348.2 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN109478527B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 若林真士;近藤圭祐 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;B65G49/07;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 設(shè)備 | ||
1.一種基片處理設(shè)備,其特征在于,包括:
設(shè)備前端模塊,其包括用于載置收納有多個基片的運(yùn)送容器的容器載置部和對載置于該容器載置部的運(yùn)送容器交接基片的交接機(jī)構(gòu);
沿從所述設(shè)備前端模塊看時向里側(cè)呈直線狀延伸的移動路徑可移動地設(shè)置的移動部;
在俯視時臨近所述移動路徑地設(shè)置的、上下配置的多層的處理單元;和
基片載置部,其通過升降機(jī)構(gòu)可升降地設(shè)置于所述移動部,能夠以貨架布置方式載置多個基片,
所述基片載置部構(gòu)成為:在前表面作為基片的交接口而開口的箱體的內(nèi)部的兩側(cè)面,在上下方向設(shè)置有多組由為保持各晶片的左右周緣部而在前后伸出的突條部構(gòu)成的保持部,在所述箱體內(nèi),多個晶片保持為貨架布置方式,
所述多層的處理單元的各層包括:用于處理基片的處理模塊;和用于在所述處理模塊與所述基片載置部之間交接基片的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu),
所述基片載置部能夠在由所述交接機(jī)構(gòu)交接基片的位置與由所述多層的處理單元各自的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)交接基片的位置之間移動。
2.如權(quán)利要求1所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述多層的處理單元沿所述移動路徑設(shè)置有多個。
3.如權(quán)利要求1所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述多層的處理單元設(shè)置于所述移動路徑的兩側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述基片載置部構(gòu)成為:上下隔開間隔地配置多個為了分別保持多個基片的左右的周緣部而在左右設(shè)置的保持部的組,并能夠繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)以使得該基片載置部的前后方向與所述交接機(jī)構(gòu)和基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)的各進(jìn)退方向一致。
5.如權(quán)利要求4所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述基片載置部的旋轉(zhuǎn)中心是該基片載置部的左右方向的中心,該旋轉(zhuǎn)中心與該基片載置部的前后方向的中心相比位于后方側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述基片載置部包括以從所述交接機(jī)構(gòu)的進(jìn)退方向和所述基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)的進(jìn)退方向的任一者都能夠交接基片的方式各自構(gòu)成的多層的載置臺。
7.如權(quán)利要求6所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述多層的處理單元設(shè)置于所述移動路徑的左右兩側(cè),
對設(shè)置于所述移動路徑的一側(cè)的處理單元的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)交接基片的一側(cè)的多層的載置臺和對設(shè)置于所述移動路徑的另一側(cè)的處理單元的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)交接基片的另一側(cè)的多層的載置臺,在俯視時左右排列地設(shè)置。
8.如權(quán)利要求6所述的基片處理設(shè)備,其特征在于:
所述多層的處理單元設(shè)置于所述移動路徑的左右兩側(cè),
所述多層的載置臺設(shè)置成能夠在對設(shè)置于所述移動路徑的一側(cè)的處理單元的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)交接基片的一側(cè)的位置與對設(shè)置于所述移動路徑的另一側(cè)的處理單元的基片運(yùn)送機(jī)構(gòu)交接基片的另一側(cè)的位置之間,在左右方向移動。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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