[發明專利]半導體用粘合膜和半導體器件

有效

• 申請號: 201780044218.9
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN109478535B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 金熹正;羅努里;金榮國;李光珠
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/522;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;鄭毅

1.一種半導體用粘合膜，包括：導電層，所述導電層包含選自銅、鎳、鈷、鐵、不銹鋼（SUS）和鋁中的至少一種金屬并且具有至少0.05 μm的厚度；以及

粘合層，所述粘合層形成在所述導電層的至少一個表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂、固化劑和環氧樹脂，

其中，所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂包含含有基于環氧的官能團的基于(甲基)丙烯酸酯的重復單元和含有芳族官能團的基于(甲基)丙烯酸酯的重復單元，所述固化劑包含酚樹脂。

2.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述導電層的厚度為0.05 μm至10 μm。

3.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述導電層為0.1 μm至10 μm的銅層、0.1 μm至10 μm的不銹鋼（SUS）層、0.1 μm至10 μm的鋁層、0.05 μm至10 μm的鎳層、0.05 μm至10 μm的鈷層、或0.05 μm至10 μm的鐵（Fe）層。

4.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

還包括阻擋層，所述阻擋層形成在所述導電層與所述粘合層之間并且具有0.001 μm至1 μm的厚度。

5.根據權利要求4所述的半導體用粘合膜，

其中所述阻擋層包含選自以下的至少之一：鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、釩（V）、鈮（Nb）、鉭（Ta）、不銹鋼、鎳合金和稀土金屬、或其氧化物和其氮化物。

6.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂的羥基當量為0.15 eq/kg或更小。

7.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂包含2重量%至40重量%的含有芳族官能團的基于(甲基)丙烯酸酯的官能團。

8.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂相對于所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂、所述環氧樹脂和所述酚樹脂的總重量的重量比為0.55至0.95。

9.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述酚樹脂具有100℃或更高的軟化點。

10.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述環氧樹脂的軟化點為50℃至120℃。

11.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述粘合膜的厚度為0.1 μm至300 μm，以及

所述導電層相對于所述粘合層的厚度比為0.001至0.8。

12.根據權利要求5所述的半導體用粘合膜，

其中所述鎳合金包括包含鎳以及選自碳、錳、硅、硫、鐵、銅、鉻、鋁、鈦、鉬和鈷中的一種或更多種元素的合金。

13.根據權利要求1所述的半導體用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的樹脂的玻璃化轉變溫度為-10℃至20℃。

14.一種半導體器件，包括根據權利要求1所述的半導體用粘合膜和與所述粘合膜的粘合層的表面接觸的半導體元件。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，

其中所述半導體器件還包括用于通過線接合或倒裝芯片法與所述半導體元件接合的被粘物。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，

其中所述半導體用粘合膜形成在所述被粘物與所述半導體元件之間，或者

所述半導體用粘合膜形成在接合有所述半導體元件和所述被粘物的表面相反的表面上。

17.根據權利要求14所述的半導體器件，

其中所述半導體器件包括兩個或更多個半導體元件，以及

所述半導體元件中的至少兩個通過所述半導體用粘合膜接合。