[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 201780044211.7
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109563101B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 劉榮輝;劉元紅;馬小樂;邵冷冷;李彥峰;陳曉霞
• 申請（專利權）人: 有研稀土新材料股份有限公司
• 主分類號: C07D487/22
• 分類號: C07D487/22;C07F17/00;C09K11/06;H01L51/00
• 代理公司: 北京中創云知識產權代理事務所(普通合伙) 11837
• 代理人: 肖佳

1.一種發光裝置，包括發光元件(2)和光轉化部分(3)，所述光轉化部分(3)吸收發光元件(2)發出的一次光并將其轉換為更高波長的二次光，所述光轉化部分(3)含有發光材料，其特征在于，所述發光材料包括有機配合物，所述有機配合物是由四吡咯大環配體A、稀土離子Ln以及氘代或鹵代的三腳架配體B組成，所述氘代或鹵代的三腳架配體B為氘代或鹵代的三腳架配體和/或氘代或鹵代的Tp三腳架配體；

所述稀土離子Ln選自Yb、Nd、Er、Pr、Tm和Ho中的一種或多種，所述有機配合物具有如下三明治夾心結構：

所述四吡咯大環配體A為具有通式I的卟啉，

其中，為X為氘或氟，R為氟代苯環。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述稀土離子Ln選自Yb、Nd、Er和Pr中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光元件(2)的發射波長范圍為360～480nm。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光元件(2)為發射波長范圍介于390～430nm的紫光/近紫外光半導體芯片。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述發光元件(2)為發射波長范圍介于430～470nm的藍光半導體芯片。