[發明專利]選擇性硅石拋光的漿料組合物和方法有效
| 申請號： | 201780044152.3 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN109476954B | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 納撒尼爾·D·烏爾班 | 申請（專利權）人： | 福祿公司 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 牟靜芳;鄭霞 |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選擇性 硅石 拋光 漿料 組合 方法 | ||
1.一種酸性含水漿料組合物，包含：
磨料顆粒，所述磨料顆粒選自由二氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯、硅石、二氧化鈦及其組合組成的組；足量的pH調節劑，所述pH調節劑使漿料pH達到低于5；以及陽離子型拋光抑制劑，所述陽離子型拋光抑制劑包含季化芳族雜環，所述季化芳族雜環選自氯化十六烷基吡啶鎓、溴化1-丁基-3-甲基吡啶鎓和氯化1-丁基吡啶鎓。
2.如權利要求1所述的酸性含水漿料組合物，其中所述pH調節劑選自由以下組成的組：硝酸、鹽酸、硫酸、乙酸、氫溴酸、甲酸、丙酸、乳酸、乙醇酸及其組合。
3.如權利要求1或權利要求2所述的酸性含水漿料組合物，其中所述季化芳族雜環是離子液體的一部分。
4.一種優先于多晶硅拋光二氧化硅膜的方法，包括當拋光墊和基底被壓制成彼此接觸并相對于彼此移動時，在所述拋光墊和所述基底之間引入酸性含水漿料組合物，其中所述酸性含水漿料組合物包含：
磨料顆粒，所述磨料顆粒選自由二氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯、硅石、二氧化鈦及其組合組成的組；
足量的pH調節劑，所述pH調節劑使漿料pH達到低于5；以及
陽離子型拋光抑制劑，所述陽離子型拋光抑制劑包含季化芳族雜環，所述季化芳族雜環選自氯化十六烷基吡啶鎓、溴化1-丁基-3-甲基吡啶鎓和氯化1-丁基吡啶鎓。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述pH調節劑選自由以下組成的組：硝酸、鹽酸、硫酸、乙酸、氫溴酸、甲酸、丙酸、乳酸、乙醇酸及其組合。
6.如權利要求4或權利要求5所述的方法，其中所述季化芳族雜環是離子液體的一部分。
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