[發(fā)明專利]量子隨機脈沖發(fā)生器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780044083.6 | 申請日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN109478885A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 白政鉉;趙誠畯;鄭富碩;南大鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 意外而株式會社 |
| 主分類號: | H03K3/84 | 分類號: | H03K3/84;G06F7/58;H04L9/06;H01L31/08 |
| 代理公司: | 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421 | 代理人: | 胡凱 |
| 地址: | 韓國京畿道龍仁市器*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放射性同位素 放射 光電二極管 隨機脈沖發(fā)生器 量子 隨機脈沖 中央配置 原子核 安保 檢測 配置 支撐 | ||
1.一種量子隨機脈沖發(fā)生器,其特征在于,包括:
光電二極管檢測部,在上面的中央配置有光電二極管;
放射性同位素放射部,與所述光電二極管相對地放射在原子核的自然蛻變時放射的阿爾法粒子;及
平板,配置在所述放射性同位素放射部的上面,而支撐所述放射性同位素放射部,
并且,從所述放射性同位素放射部放射的阿爾法粒子與所述光電二極管接觸時,所述光電二極管檢測部從所述光電二極管檢測事件,并發(fā)生隨機脈沖,所述隨機脈沖與所述阿爾法粒子的放射時間相應(yīng)地發(fā)生,并且,所述放射性同位素放射部的水平寬幅小于所述光電二極管的水平寬幅,所述光電二極管檢測部與所述平板之間的間隔為0.1mm以上、0.5mm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子隨機脈沖發(fā)生器,其特征在于,
所述放射性同位素放射部的水平寬幅為大于0.05mm、小于0.1mm以下,所述光電二極管的水平寬幅為0.1mm以上、1.0mm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子隨機脈沖發(fā)生器,其特征在于,
所述放射性同位素放射部包括Am241放射性同位素。
4.一種量子隨機脈沖發(fā)生器,其特征在于,包括:
基板;
光電二極管檢測部,配置在所述基板上,在上面中央配置有光電二極管;
放射性同位素放射部,配置在所述光電二極管上;及
平板,覆蓋所述基板、所述光電二極管檢測部、所述光電二極管及所述放射性同位素放射部而配置,密封所述放射性同位素放射部,
并且,所述放射性同位素放射部為液狀形態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子隨機脈沖發(fā)生器,其特征在于,所述放射性同位素放射部包括Am241放射性同位素。
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