[發(fā)明專利]模塊化晶粒處理系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780043545.2 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN109478526A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邁克爾·默里·英林;肖恩·邁克爾·亞當(dāng)斯;大衛(wèi)·W·林德克;斯科特·C·普羅克特 | 申請(專利權(quán))人: | 環(huán)球儀器公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人: | 李德魁 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶粒 晶圓 預(yù)擴張 處理系統(tǒng) 處理器 晶機 處理器模塊 模塊化方式 機械裝置 晶圓材料 模塊化 拾放機 拾取頭 拉伸 移出 運輸 制備 存儲 閑置 中斷 配置 檢查 | ||
1.一種晶粒處理系統(tǒng),包括:
第一料箱,其配置為存儲預(yù)備晶圓,所述預(yù)備晶圓包括第一構(gòu)造的晶圓;
擴晶機,其配置為將第一構(gòu)造的晶圓擴張成為第一預(yù)擴張晶圓;
預(yù)擴張晶圓容留裝置,其配置為存儲從擴晶機接收的所述第一預(yù)擴張晶圓;以及
晶粒處理器,其包括拾取頭,所述拾取頭配置為從所述第一預(yù)擴張晶圓上提取一個或多個晶粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒處理系統(tǒng),還包括:
第二料箱,其配置為存儲第二預(yù)備晶圓,所述第二預(yù)備晶圓包括第二構(gòu)造的晶圓,其中第二構(gòu)造的特性與第一構(gòu)造的特性不同;以及
第二預(yù)擴張晶圓容留裝置,其配置為從擴晶機接收第二預(yù)擴張晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一預(yù)擴張晶圓保持在第一卡盒中,所述第一卡盒包括置于所述第一卡盒的頂板和底板之間的第一構(gòu)造的晶圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶粒處理系統(tǒng),其特征在于,所述第一預(yù)擴張晶圓和所述第二預(yù)擴張晶圓以預(yù)定方向的位置存儲在所述第一預(yù)擴張晶圓容留裝置或第二預(yù)擴張晶圓容留裝置中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶粒處理系統(tǒng),還包括:
第一升降器,其附接至預(yù)擴張晶圓容留裝置;
第二升降器,其附接至第二預(yù)擴張晶圓容留裝置;并且
所述晶粒處理器與所述第一升降器和所述第二升降器均相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶粒處理系統(tǒng),其特征在于,所述晶粒處理器的所述拾取頭從所述第一預(yù)擴張晶圓同時提取一個或多個晶粒,同時擴晶機將晶圓或第二構(gòu)造的晶圓擴張成為第二預(yù)擴張晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒處理系統(tǒng),還包括:
相機,其附接至所述晶粒處理器,其中所述相機具有所述第一預(yù)擴張晶圓的各個提取的晶粒的三維視圖。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶粒處理系統(tǒng),其特征在于,所述相機的三維視圖能夠獲得從所述第一預(yù)擴張晶圓提取的一個或多個晶粒的側(cè)視圖和邊視圖。
9.權(quán)利要求1所述的晶粒處理器,其特征在于,所述拾取頭是可旋轉(zhuǎn)的。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶粒處理系統(tǒng),其特征在于,所述拾取頭旋轉(zhuǎn),并將所述第一預(yù)擴張晶圓的各個提取的晶粒呈現(xiàn)給相機。
11.一種晶粒處理方法,包括步驟:
將包括第一構(gòu)造的晶圓的預(yù)備晶圓從料箱拉至擴晶機;
將所述晶圓擴張成預(yù)擴張晶圓;
將所述預(yù)擴張晶圓存儲在預(yù)擴張晶圓容留裝置中;
將所述預(yù)擴張晶圓從所述預(yù)擴張晶圓容留裝置拉至晶圓處理器的工作臺;以及
從所述預(yù)擴張晶圓提取一個或多個晶粒。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶粒處理方法,還包括步驟:
將第二預(yù)備晶圓從第二料箱拉至擴晶機,所述第二預(yù)備晶圓包括第二構(gòu)造的第二晶圓,其中所述第二晶圓具有與第一構(gòu)造的晶圓不同的構(gòu)造;以及
將所述第二晶圓擴張成第二預(yù)擴張晶圓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶粒處理方法,還包括步驟:
將所述第二預(yù)擴張晶圓存儲在第二預(yù)擴張晶圓容留裝置中;以及
將所述第二預(yù)擴張晶圓從所述第二預(yù)擴張晶圓容留裝置拉至晶粒處理器。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,將預(yù)備晶圓擴張成預(yù)擴張晶圓的步驟還包括:
準備卡盒,其包括頂板、底板和所述預(yù)備晶圓;
將預(yù)備晶圓置于卡盒的頂板和底板之間;
通過將頂板和底板壓到一起,對晶圓進行擴張;以及
將頂板和底板鎖住,形成預(yù)擴張晶圓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





