[發明專利]用于填充間隙的方法和設備

有效

• 申請號: 201780043306.7
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109690744B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: V·珀爾;W·科內鵬;B·瓊布羅德;D·皮爾勒;S·范阿爾德;S·霍卡;深澤篤毅;福田秀明
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生;樂洪詠

1.一種通過提供沉積方法來填充在基底上制造特征期間形成的一個或多個間隙的方法，所述沉積方法包括：

以第一劑量將第一反應物引入到所述基底上，由此由所述第一反應物形成不超過約一個單層；

以第二劑量將第二反應物引入到所述基底上，其中所述第一反應物以亞飽和第一劑量引入，從而僅到達所述一個或多個間隙的表面的頂部區域，并且所述第二反應物以飽和第二劑量引入，從而到達所述一個或多個間隙的表面的底部區域；及

以第三劑量將第三反應物引入到所述基底上，所述第三反應物與所述第二反應物在底部反應，從而引起間隙的底部向上生長，

其中所述第一反應物是相對無生長的反應物，由此所述第一反應物在與所述第三反應物反應時基本上從表面中去除。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括在引入第一、第二和/或第三反應物的每個步驟之后從反應室中去除多余的反應物和副產物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積方法重復多次以填充所述間隙。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二反應物是在與所述第三反應物反應時具有相對較高生長速率的反應物。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述無生長的反應物是蝕刻敏感反應物，并且所述第三反應物引起對所述第一反應物的蝕刻，使得從表面去除所述第一反應物。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一反應物包括氟，并且所述第三反應物產生等離子體，所述等離子體從所述蝕刻敏感反應物中去除氟，從而產生蝕刻掉所述第一反應物的氟等離子體。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻敏感反應物包括三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)硅烷。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述蝕刻敏感反應物包括胺基團。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述蝕刻敏感反應物包括二異丙胺基團。

10.根據權利要求5所述的方法，其中所述蝕刻敏感反應物包括烷烴基團。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述蝕刻敏感反應物包括辛烷。

12.根據權利要求4所述的方法，其中所述具有相對較高生長速率的反應物包括硅烷。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述硅烷包括硅烷二胺。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述硅烷二胺包括N,N,N',N'-四乙基硅烷二胺。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述硅烷二胺包括氨基硅烷。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述硅烷包括甲基硅烷或二碘硅烷。

17.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三反應物包括氧。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述氧由等離子體活化。

19.根據權利要求17所述的方法，其中所述氧由臭氧提供。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三反應物包括氮、氫、肼和/或氨。

21.根據權利要求20所述的方法，其中所述第三反應物由等離子體活化。