[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201780043080.0
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN109478514A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 山根靖正;倉田求;方堂涼太;石山貴久
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L29/786
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體裝置，包括：

第一阻擋層；

第二阻擋層；

第三阻擋層；

包含氧化物的晶體管；

包括過剩氧區域的絕緣體；以及

導電體，

其中，所述絕緣體及所述氧化物位于所述第一阻擋層與所述第二阻擋層之間，

所述第三阻擋層及所述導電體位于所述第一阻擋層的開口及所述絕緣體的開口中，

并且，所述導電體不與所述絕緣體接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋層的所述開口的側面及所述第二阻擋層的開口的側面與所述第三阻擋層接觸，以便所述晶體管及所述絕緣體被所述第一阻擋層、所述第二阻擋層及所述第三阻擋層密封。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中當利用TDS進行測定時，在400℃以下的溫度下，從所述第一阻擋層、所述第二阻擋層或所述第三阻擋層下的構成要素釋放的氫量為5.0×10¹⁴/cm²以下。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

包括開口的第二絕緣體；以及

包括開口的第三絕緣體，

其中所述第二絕緣體位于所述第二阻擋層上，

所述第三絕緣體位于所述第一阻擋層下，

并且所述第二絕緣體的所述開口的側面及所述第三絕緣體的所述開口的側面都具有由所述第三阻擋層覆蓋的區域。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋層被用作所述晶體管的柵極絕緣膜。

6.一種半導體裝置，包括：

第一阻擋層；

第二阻擋層；

第三阻擋層；

包含氧化物的晶體管；

包括過剩氧區域的絕緣體；以及

與所述晶體管電連接的導電體，

其中，所述絕緣體及所述氧化物位于所述第一阻擋層與所述第二阻擋層之間，

所述導電體位于所述第一阻擋層的開口及所述絕緣體的開口中，

所述第三阻擋層位于所述導電體與所述絕緣體之間，

并且，所述第三阻擋層位于所述導電體與所述第一阻擋層之間。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋層的所述開口的側面及所述第二阻擋層的開口的側面與所述第三阻擋層接觸，以便所述晶體管及所述絕緣體被所述第一阻擋層、所述第二阻擋層及所述第三阻擋層密封。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中當利用TDS進行測定時，在400℃以下的溫度下，從所述第一阻擋層、所述第二阻擋層或所述第三阻擋層下的構成要素釋放的氫量為5.0×10¹⁴/cm²以下。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括：

包括開口的第二絕緣體；以及

包括開口的第三絕緣體，

其中所述第二絕緣體位于所述第二阻擋層上，

所述第三絕緣體位于所述第一阻擋層下，

并且所述第二絕緣體的所述開口的側面及所述第三絕緣體的所述開口的側面都具有由所述第三阻擋層覆蓋的區域。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋層被用作所述晶體管的柵極絕緣膜。