[發明專利]具有多層隔離層的磁感應器疊層有效

申請號：	201780042833.6	申請日：	2017-06-13
公開（公告）號：	CN109416969B	公開（公告）日：	2021-06-11
發明（設計）人：	H·得里格亞尼;E·奧蘇理萬;王乃剛;B·多利斯	申請（專利權）人：	國際商業機器公司
主分類號：	H01F17/00	分類號：	H01F17/00
代理公司：	中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038	代理人：	劉倜
地址：	美國***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有多層隔離感應器
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【權利要求書】：

1.一種感應器結構，包括：

層壓薄膜疊層，包括交替的磁性材料層和多層絕緣材料層，其中多層絕緣材料介于相鄰的磁性材料層之間，并包括鄰接至少一個附加絕緣層的第一絕緣層，并且其中所述第一絕緣層和所述至少一個附加絕緣層包括不同的介電材料和/或是通過不同的沉積工藝形成的；

其中所述第一絕緣層和/或所述至少一個附加絕緣層包括一個或多個小孔，其在所述第一絕緣層和所述至少一個附加絕緣層之間是不連續的。

2.如權利要求1所述的感應器結構，還包括多條金屬線，其中包括交替的磁性材料層和多層絕緣材料層的層壓薄膜疊層包圍所述金屬線。

3.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述磁性材料選自CoFe、CoFeB、CoZrTi、CoZrTa、CoZr、CoZrNb、CoZrMo、CoTi、CoNb、CoHf、CoW、FeCoN、FeCoAlN、CoP、FeCoP、CoPW、CoBW、CoPBW、FeTaN、FeCoBSi、FeNi、CoFeHfO、CoFeSiO、CoZrO、CoFeAlO以及它們的組合。

4.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述介電材料選自二氧化硅、熱氧化硅、氮氧化硅、氧化鎂、氧化鋁、氧化硼、氧化鉭、氧化鈦、氮化硅以及它們的組合。

5.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述多層絕緣材料層的厚度約為所述磁性材料層厚度的一半。

6.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述多層絕緣材料層具有有效地將所述感應器結構中的每個磁性材料層與其它磁性材料層電隔離的厚度。

7.根據權利要求1所述的感應器結構，其中第一絕緣層包括二氧化硅，并且所述至少一個附加絕緣層包括絕緣層氮化硅。

8.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述多層絕緣材料層包括覆蓋氮化硅層的第一二氧化硅層，其中所述氮化硅層覆蓋第二二氧化硅層。

9.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述多層絕緣材料層包括覆蓋二氧化硅層的第一氮化硅層，其中所述二氧化硅層覆蓋第二氮化硅層。

10.根據權利要求1所述的感應器結構，其中所述感應器結構是閉合磁軛感應器并且環繞金屬線。

11.根據權利要求10所述的感應器結構，其中所述感應器結構是螺線管感應器，其中金屬線環繞所述感應器結構。

12.一種形成感應器結構的方法，包括：

沉積包括交替的磁性材料層和多層絕緣材料層的層壓薄膜疊層，其中所述多層絕緣材料介于相鄰的磁性材料層之間并包括鄰接至少一個附加絕緣層的第一絕緣層，并且其中所述第一絕緣層和所述至少一個附加絕緣層包括不同的介電材料和/或是通過不同的沉積工藝形成的；

其中所述第一絕緣層和/或所述至少一個附加絕緣層包括一個或多個小孔，其在所述第一絕緣層和所述至少一個附加絕緣層之間是不連續的。

13.根據權利要求12所述的方法，其中沉積所述第一絕緣層和所述至少一個附加絕緣層包括CVD、PECVD或其組合。