[發明專利]硅晶片的制造方法有效
| 申請號： | 201780042556.9 | 申請日： | 2017-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN109478512B | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發明（設計）人： | 松山博行 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;楊戩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：
培育工序，通過切克勞斯基法培育不包含COP及位錯簇團的單晶硅；
OSF評價工序，對從所述單晶硅中獲取的評價晶片的OSF的產生狀況進行評價；及
熱處理工序，當在所述評價晶片中存在所述OSF時，在1310℃以上的條件下，對從與所述評價晶片相同的單晶硅中獲取的硅晶片進行RTO處理，當在所述評價晶片中不存在所述OSF時，在低于1310℃的條件下，對從與所述評價晶片相同的單晶硅中獲取的硅晶片進行RTO處理。
2.根據權利要求1所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，
所述硅晶片的制造方法包含RIE缺陷密度評價工序，該RIE缺陷密度評價工序對從與不存在所述OSF的評價晶片相同的單晶硅中獲得的另一評價晶片的RIE缺陷密度進行評價，
關于所述熱處理工序，當所述RIE缺陷密度為5×106個/cm3以上時，在1270℃以上的條件下，對從與所述另一評價晶片相同的單晶硅中獲取的硅晶片進行RTO處理，當所述RIE缺陷密度小于5×106個/cm3時，在1250℃以上的條件下，對從與所述另一評價晶片相同的單晶硅中獲取的硅晶片進行RTO處理。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
