[發明專利]用于光學應用的折射率匹配層在審
| 申請號： | 201780042230.6 | 申請日： | 2017-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN109416957A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 劉亞群;黃紅敏;海倫·X·徐 | 申請（專利權）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊文娟;臧建明 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 折射率匹配層 透明導電層 基底 分層結構 光學應用 折射率差 上表面 減小 鄰近 | ||
1.一種分層結構，所述分層結構包括：
基底；
透明導電層，所述透明導電層沿所述基底的上表面定位；和
折射率匹配層，所述折射率匹配層鄰近所述透明導電層定位，所述折射率匹配層包括：
金屬氧化物層，所述金屬氧化物層含鈦并且具有至少1.5的折射率，所述金屬氧化物層具有以下所述結構：
其中每個R1為獨立的氫、具有1至6個碳的烷基基團、亞烷基氧、或鈦連接的基團；
其中每個R2為獨立的氫或烷基基團。
2.根據權利要求1所述的分層結構，其中所述折射率匹配層還包括氧化硅層。
3.根據權利要求1所述的分層結構，還包括所述透明導電層與所述折射率匹配層之間介于0至1之間的折射率差。
4.根據權利要求1所述的分層結構，其中所述金屬氧化物層具有1.5至2.0的折射率。
5.根據權利要求1所述的分層結構，其中所述折射率匹配層以單層形式施加。
6.一種形成分層結構的方法，包括：
提供基底；
將透明導電層施加到所述基底；以及
將折射率匹配涂層施加到所述基底；
其中所述折射率匹配涂層鄰近所述透明導電層定位，所述折射率匹配涂層包括金屬氧化物涂層，所述金屬氧化物涂層由以下所述結構形成：
其中每個R1為獨立的氫、具有1至6個碳的烷基基團、亞烷基氧或鈦連接的基團，其中所述鈦連接的基團包括連接到所述鈦原子的任何有機或無機基團；
其中每個R2為獨立的氫或烷基基團。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述折射率匹配涂層還包括氧化硅涂層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中交替地施加所述金屬氧化物涂層和所述氧化硅涂層。
9.根據權利要求11所述的方法，其中所述折射率匹配涂層包括金屬氧化物涂層，其中所述金屬氧化物涂層的施加在所述金屬氧化物涂層與所述透明導電層之間形成介于0至1之間的反射率差。
10.根據權利要求18所述的方法，其中所述金屬氧化物涂層被施加為具有介于5nm至100nm之間的厚度，并且所述涂層具有介于1.5至2.0之間的折射率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于霍尼韋爾國際公司，未經霍尼韋爾國際公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780042230.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：具有有利的電性能的電纜
- 下一篇：電極結構、包括其的電子器件及其制造方法
